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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-1993-0025343 (1993-11-26) |
공개번호 | 10-1995-0014983 (1995-06-16) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1019930025343 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사진행상태 | 취하(심사미청구) |
법적상태 | 취하 |
본 발명은 사진식각방법에 관한 것으로, 기판위에 소정의 물질막을 형성하는 공정과, 상기 물질막 위에 원하는 감광막을 형성하는 공정과, 상기 감광막 상부에 형성하고자 하는 물질막 패턴에 적합한 제1감광막 식각 마스크를 얼라인 한 후 상기 감광막을 제1차 노광하는 공정과, 상기 제1감광막 식각 마스크와 동일한 제2감광막 식각 마스크를 다시 얼라인한 후 상기 제2마스크에 따라 상기 감광막을 제2차 노광하는 공정과, 상기 제1차 및 제2차 노광된 감광막을 현상하여 사진식각 마스크패턴을 형성하는 공정과, 상기 사진식각 마스크패턴을 사용하여
기판(1)위에 소정의 물질막(2)을 형성하는 공정과, 상기 물질막(2) 위에 감광막(3)을 형성하는 공정과, 상기 감광막(3)의 상부에 형성하고자 하는 물질막 패턴에 적합한 제1감광막 식각 마스크(4)를 얼라인 한 후 상기 감광막(3)을 제1차 노광하는 공정과, 상기 제1감광막 식각 마스크(4)와 동일한 제2감광막 식각 마스크(4')를 다시 얼라인한 후 상기 제2감광막 시각 마스크(4')에 따라 1차 노광된 상기 감광막을 제2차 노광하는 공정과, 상기 제1차 및 제2차 노광된 감광막을 현상하여 사진식각 마스크패턴(7)을 형성하는 공
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