초록

본 발명은 반도체 소자의 모스펫(MOSFET)에 관한 것으로, 직접도가 높아짐에 따라 모스펫의 채널영역에서 캐리어가 반도체 기판의 표면으로 휘어지는데 캐리어의 이동방향과 직교하는 방향으로 자기장을 채널영역에 인가하면 캐리어가 반도체 기판의 상부측으로 휘어지는 것을 상쇄시켜 캐리어가 반도체 기판의 표면과 평행하게 이동된다. 그로인하여 캐리어가 반도체 기판의 표면에서 스캐터링되는 현상을 방지하고 핫 캐리어로 인한 소자의 열화를 감소시키며 소자의 동작속도를 현저히 향상시킬 뿐만 아니라 소자의 수명도 길어진다.

대표청구항

반도체 기판 상부에 게이트산화막과 게이트전극이 형성되고, 게이트전극하부의 기판에 소오스와 드레인이 구비되는 모스펫(MOSFET)에 있어서, 상기 모스펫의 게이트 전극 바이어스에 의해 발생되는 전기장에 의해 상기 모스펫의 채널영역에서 이동하는 캐리어가 상부방향으로 휘어지는 힘을 상쇄시킬 수 있는 크기의 자기장이 발생되는 자성물질을 상기 모스펫에 구비한것을 특징으로 하는 반도체소자.

반도체 기판 상부에 게이트산화막과 게이트전극이 형성되고, 게이트전극하부의 기판에 소오스와 드레인이 구비되는 모스펫(MOSFET)에 있어서, 상기 모스펫의 게이트 전극 바이어스에 의해 발생되는 전기장에 의해 상기 모스펫의 채널영역에서 이동하는 캐리어가 상부방향으로 휘어지는 힘을 상쇄시킬 수 있는 크기의 자기장이 발생되는 자성물질을 상기 모스펫에 구비한것을 특징으로 하는 반도체소자.