초록 ▼

본 발명의 반도체칩용 리드 프레임의 에칭 방법에 관한 것이다.본 발명은 가공소재의 표면을 세정시키기 위한 전처리 단계; 가공소재의 표면에 포토 레지스터를 도포하는 도포 단계; 도포된 포토레지스터의 감광성을 이용하여 포토 레지스터 막을 소정의 패턴에 따라 강광시키는 노광 단계; 포토 레지스터막에서 비노광된 부분은 세척하고, 노광된 부분은 경화시켜주는 현상 단계; 상기 도포-노광-현상 단계를 복수회 반복 실시하는 단계; 가공소재를 원하는 형상대로 가공하기 위해 에칭을 행하는 에칭 단계; 및 가공소재 표면의 포토 레지스터 잔여분을 제거하

본 발명의 반도체칩용 리드 프레임의 에칭 방법에 관한 것이다.본 발명은 가공소재의 표면을 세정시키기 위한 전처리 단계; 가공소재의 표면에 포토 레지스터를 도포하는 도포 단계; 도포된 포토레지스터의 감광성을 이용하여 포토 레지스터 막을 소정의 패턴에 따라 강광시키는 노광 단계; 포토 레지스터막에서 비노광된 부분은 세척하고, 노광된 부분은 경화시켜주는 현상 단계; 상기 도포-노광-현상 단계를 복수회 반복 실시하는 단계; 가공소재를 원하는 형상대로 가공하기 위해 에칭을 행하는 에칭 단계; 및 가공소재 표면의 포토 레지스터 잔여분을 제거하는 박리 단계를 포함하여 된 점에 특징이 있다.따라서, 2가지 이상의 합금으로 된 소재에 있어서도 각부위의 식각특성에 따라 도포층의 두께가 조정되므로, 에칭 시각부위의 도포층+가공소재의 에칭에 소요되는 시간을 거의 균등하게 할 수 있어 각리드의 폭이 균등한 소망하는 형태의 리드 프레임을 얻을 수 있다.

대표청구항 ▼

(i)가공소재의 표면을 세정시키기 위한 전처리 단계; (ⅱ)가공소재의 표면에 포토 레지스터를 도포하는 도포 단계; (ⅲ)도포된 포토 레지스터의 감광성을 이용하여 포토 레지스터막을 소정의 패턴에 따라 강광시키는 노광 단계; (ⅳ)포토 레지스터막에서 비노광된 부분은 세척하고, 노광된 부분은 경화시켜주는 현상 단계;(ⅴ) 상기 (ⅱ)~(ⅲ)~(ⅳ)단계를 복수회 반복 실시하는 단계; (ⅵ)가공소재를 원하는 형상대로 가공하기 위해 에칭을 행하는 단계; 및 (ⅶ)가공소재 표면의 포토 레지스터 잔여분을 게거하는 박리 단계를 포함하여 된것을 특징

(i)가공소재의 표면을 세정시키기 위한 전처리 단계; (ⅱ)가공소재의 표면에 포토 레지스터를 도포하는 도포 단계; (ⅲ)도포된 포토 레지스터의 감광성을 이용하여 포토 레지스터막을 소정의 패턴에 따라 강광시키는 노광 단계; (ⅳ)포토 레지스터막에서 비노광된 부분은 세척하고, 노광된 부분은 경화시켜주는 현상 단계;(ⅴ) 상기 (ⅱ)~(ⅲ)~(ⅳ)단계를 복수회 반복 실시하는 단계; (ⅵ)가공소재를 원하는 형상대로 가공하기 위해 에칭을 행하는 단계; 및 (ⅶ)가공소재 표면의 포토 레지스터 잔여분을 게거하는 박리 단계를 포함하여 된것을 특징으로 하는 반도체칩용 리드 프레임의 에칭방법.