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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-1994-0014495 (1994-06-23) |
공개번호 | 10-1996-0002571 (1996-01-26) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1019940014495 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (1994-06-23) |
심사진행상태 | 거절결정(일반) |
법적상태 | 거절 |
본 발명은 게이트 산화막상에 SiH4가스를 이용하여 이온이 주입되지 않은 비정질실리콘막을 형성하는 단계; 동일한 공정튜브내에서 Si2H6가스와 불순물 소오스, N2가스를 이용하여 불순물이 도우핑된 비정질실리콘막을 형성하는 단계; 상기 불순물이 도우핑된 비정질실리콘막을 열처리하여 폴리실리콘막으로 형성하는 단계; 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 게이트전극 형성방법에 관한 것으로, 게이트전극의 면저항을 감소 시키고 게이트전극과 게이트 산화막 사이의 스트레스를 감소 시킬 수 있어 반도체소자의 전기적 특성을 향상시키는
반도체소자의 게이트전극 형성방법에 있어서, 게이트 산화막상에 SiH4가스를 이용하여 이온이 주입되지 않은 비정질실리콘막을 형성하는 단계; 동일한 공정튜브내에서 Si2H6가스와 불순물 소오스, N2가스를 이용하여 불순물이 도우핑된 비정질실리콘막을 형성하는 단계; 상기 불순물이 도우핑된 비정질실리콘막을 열처리하여 폴리실리콘막으로 형성하는 단계; 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 게이트전극 형성 방법.
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