초록 ▼

본 발명은 광통신용 반도체 레이저 제조방법에 관한 것으로, 종래에는 통신용에 쓰이는 파장 1.3㎛의 빛을 나타내는 반도체 레이저의 경우 DFB-LD를 만들기 위한 그레이팅의 주기가 대략 196nm로서 매우 작은 것이기 때문에 레이저 간섭장치를 사용해야만 그러한 주기의 그레이팅패턴을 제작할 수 있다. 따라서, 디스트리뷰트 피드백 레이저 다이오드(DFB-LD)를 이용해서 단일모드의 레이저를 제작하는 것은 기술적으로 상당한 어려움이 있고, 고가의 레이저 간섭장치를 사용해야하는 단점이 있었다.본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위하여 그레

본 발명은 광통신용 반도체 레이저 제조방법에 관한 것으로, 종래에는 통신용에 쓰이는 파장 1.3㎛의 빛을 나타내는 반도체 레이저의 경우 DFB-LD를 만들기 위한 그레이팅의 주기가 대략 196nm로서 매우 작은 것이기 때문에 레이저 간섭장치를 사용해야만 그러한 주기의 그레이팅패턴을 제작할 수 있다. 따라서, 디스트리뷰트 피드백 레이저 다이오드(DFB-LD)를 이용해서 단일모드의 레이저를 제작하는 것은 기술적으로 상당한 어려움이 있고, 고가의 레이저 간섭장치를 사용해야하는 단점이 있었다.본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위하여 그레이팅패턴을 사용하지 않고서도 완전한 단일모드의 레이저 빛을 얻을 수 있도록 하고, 기술적으로 보다 훨씬 쉽게 단일모드로 발진하는 반도체 레이저를 제작할 수 있도록 하는 광통신용 반도체 레이저 제조방법을 제공하는 것이다.

대표청구항 ▼

기판위에 제1도전형클래드층, 활성층, 제2도전형클래드층을 차례로 형성하는 공정과, 상기 제2도전형클래층위에 산화막을 도포한 후 중심부위를 기판까지 에칭하는 공정과, 상기 나머지 산화막을 제거한 후 상기에서 에칭된 부위에 반절연결합층을 성장시키는 공정과, 상기 반절연결합층의 야끝쪽으로 기판까지 에칭하여 메사를 형성하는 공정과, 메사위를 제외한 메사양측의 기판위에 제2도전형매몰층과 제1도전형매몰층을 차례로 형성하는 공정과, 상기 소자 전면에 제2도전형 캡층을 형성하는 공정과, 상기 제2도전형 캡층위에 제2도전형전극을, 기판하부에는 제1

기판위에 제1도전형클래드층, 활성층, 제2도전형클래드층을 차례로 형성하는 공정과, 상기 제2도전형클래층위에 산화막을 도포한 후 중심부위를 기판까지 에칭하는 공정과, 상기 나머지 산화막을 제거한 후 상기에서 에칭된 부위에 반절연결합층을 성장시키는 공정과, 상기 반절연결합층의 야끝쪽으로 기판까지 에칭하여 메사를 형성하는 공정과, 메사위를 제외한 메사양측의 기판위에 제2도전형매몰층과 제1도전형매몰층을 차례로 형성하는 공정과, 상기 소자 전면에 제2도전형 캡층을 형성하는 공정과, 상기 제2도전형 캡층위에 제2도전형전극을, 기판하부에는 제1도전형전극을 각각 형성하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광통신용 반도체 레이저 제조방법.