초록 ▼

본 발명은 베이스폴리머, 가소제, 3종 이상의 가고제 및 커플링제로 조성되며, 초기 경화속도를 유지시키면서도 인장응력, 신율, 경도 및 열저장성이 우수한 산은 경화형 실리콘 실란트 조성물의 제조방법에 관한 것으로서, 분자량이 75,000~140,000인 양말단 하이드록실변성 폴리실록산 50~65중량부와 분자량이 1,200~7,000인 비반응성 폴리실록산 25~35중량부를 혼합 교반하면서 가교제 3.4~6.0중량부를 질소분위기 하에서 첨가 반응시키는 1단계와 ; 상기 반응물을 질소분위기하에서 커플링제 0.1~1.9중량부에 촉매 0.0

본 발명은 베이스폴리머, 가소제, 3종 이상의 가고제 및 커플링제로 조성되며, 초기 경화속도를 유지시키면서도 인장응력, 신율, 경도 및 열저장성이 우수한 산은 경화형 실리콘 실란트 조성물의 제조방법에 관한 것으로서, 분자량이 75,000~140,000인 양말단 하이드록실변성 폴리실록산 50~65중량부와 분자량이 1,200~7,000인 비반응성 폴리실록산 25~35중량부를 혼합 교반하면서 가교제 3.4~6.0중량부를 질소분위기 하에서 첨가 반응시키는 1단계와 ; 상기 반응물을 질소분위기하에서 커플링제 0.1~1.9중량부에 촉매 0.01~0.1 중량부를 혼합하여 10~30분간 교반한 후 충전제 5~10중량부를 3~4회 나누어 혼합 분산시키는 2단계와 ; 충전제가 분산된 상기 혼합물을 상온에서 감압교반하여 기포를 제거함으로서 산온 경화형 실리콘 조성물을 수득하는 3단계로 구성된 것이다.

대표청구항 ▼

분자량이 75,000~140,000인 일반식(1)로 표시되는 양말단 하이드록실변성 폴리실록산 50~65중량부와 분자량이 1,200~7,000인 일반식(3)로 표시되는 비반응성 폴리실록산 25~35중량부를 혼합 교반하면서 일반식 (2)로 표시되는 가교제 3.4~6.0중량부를 질소분위기하에서 첨가 반응시키는 1단계와 ; 상기 반응물을 질소분위기하에서 커플링제 0.1~1.9중량부 및 촉매 0.01~0.1중량부를 혼합하여 10~30분간 교반한 후, 충전제 5~10중량부를 3~4회 나누어 혼합 분산시키는 2단계와 ; 충전제가 분산된 상기 혼

분자량이 75,000~140,000인 일반식(1)로 표시되는 양말단 하이드록실변성 폴리실록산 50~65중량부와 분자량이 1,200~7,000인 일반식(3)로 표시되는 비반응성 폴리실록산 25~35중량부를 혼합 교반하면서 일반식 (2)로 표시되는 가교제 3.4~6.0중량부를 질소분위기하에서 첨가 반응시키는 1단계와 ; 상기 반응물을 질소분위기하에서 커플링제 0.1~1.9중량부 및 촉매 0.01~0.1중량부를 혼합하여 10~30분간 교반한 후, 충전제 5~10중량부를 3~4회 나누어 혼합 분산시키는 2단계와 ; 충전제가 분산된 상기 혼합물을 상온에서 감압교반시켜 기포를 제거시키는 3단계로 이루어진 상온 경화형 실리콘 조성물의 제조방법.여기서 n은 1,000~2,000 사이의 정수이다.여기서, R1은 -CH3, -CH5, -C6H5 또는 -CH=CH2, R2는 -H, -CH3, -OCH2, -OC2H5 또는 -OC3H7, n은 0~3 사이의 정수, m은 0 또는 1, R'은 H, CH3, C2H5, C3H7 또는 C6H5이고, R″는 CH3, C2H5, C3H7 또는 C6H5이다.여기서, n은 10~100 사이의 정수이다.