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| 국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
|---|---|
| 국제특허분류(IPC8판) |
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| 출원번호 | 10-1995-0003610 (1995-02-24) |
| 공개번호 | 10-1996-0032682 (1996-09-17) |
| 등록번호 | 10-0187666-0000 (1999-01-06) |
| DOI | http://doi.org/10.8080/1019950003610 |
| 발명자 / 주소 | |
| 출원인 / 주소 |
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| 대리인 / 주소 |
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| 심사청구여부 | 있음 (1996-04-10) |
| 심사진행상태 | 등록결정(일반) |
| 법적상태 | 소멸 |
본 발명은 반도체 소자의 텅스텐 플러그 형성방법이 개시된다.본 발명의 턴스텐 플러그 형성공정은 다음과 같다.비아홀을 포함한 절연막상에 접착막 및 확산 방지막을 형성하고, 접착막 및 확산방지막상에 비아홀을 충분히 채울 수 있는 두께로 텅스텐을 중착한다. 비아홀에서 텅스텐이 식각손상되지 않도록 텅스텐을 식각하여 비아홀 내에 텅스텐 플러그를 형성하므로, 이로 인하여 토폴러지가 낮은 지역에 텅스텐 잔류물이 남게 된다. 텅스텐 잔류물을 제거하기 위하여 상부 금속 배선용 마스크를 사용한 리소그라피 공정으로 텅스텐 플러그를 포함한 상부 금속배선
반도체 소자에서 절연막의 부분을 식각함에 의해 형성되는 비아홀을 통해 하부 금속배선과 상부 금속배선을 연결하는 반도체 소자의 텅스텐 플러그 형성방법에 있어서, 상기 비아홀을 포함한 상기 절연막상에 접착막 및 확산방지막을 형성하고, 상기 접착막 및 확산방지막상에 상기 비아홀을 충분히 채울 수 있는 두께로 텅스텐을 중착하는 단계와, 상기 비아홀에서 텅스텐이 식각손상되지 않도록 상기 텅스텐을 식각하여 상기 비아홀 내에 텅스텐 플러그를 형성하므로, 이로 인하여 토플러지가 낮은지역에 텅스텐 잔류물이 남게 되는 단계와, 상기 텅스텐 잔류물을
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