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| 국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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| 국제특허분류(IPC8판) |
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| 출원번호 | 10-2006-0001838 (2006-01-06) |
| 공개번호 | 10-2007-0074098 (2007-07-12) |
| DOI | http://doi.org/10.8080/1020060001838 |
| 발명자 / 주소 | |
| 출원인 / 주소 |
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| 대리인 / 주소 |
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| 심사진행상태 | 취하(심사미청구) |
| 법적상태 | 취하 |
본 발명은 셀할로마스크(C-HALO Mask) 작업후 잔존하는 감광막스컴을 완전히 제거하면서 패싯부위의 감광막두께를 충분히 확보할 수 있는 반도체소자의 제조 방법을 제공하기 위한 것으로, 본 발명의 반도체소자의 제조 방법은 비트라인콘택노드부와 스토리지노드콘택노드부가 정의된 반도체기판 상부에 게이트라인을 형성하는 단계, 상기 게이트라인 사이를 채울때까지 전면에 감광막을 도포하는 단계, 상기 감광막을 노광 및 현상으로 패터닝하여 상기 게이트라인 사이의 비트라인콘택노드부를 오픈시키는 셀할로마스크를 형성하는 단계, 상기 셀할로마스크 작업후
비트라인콘택노드부와 스토리지노드콘택노드부가 정의된 반도체기판 상부에 게이트라인을 형성하는 단계;상기 게이트라인 사이를 채울때까지 전면에 감광막을 도포하는 단계;상기 감광막을 노광 및 현상으로 패터닝하여 상기 게이트라인 사이의 비트라인콘택노드부를 오픈시키는 셀할로마스크를 형성하는 단계;상기 셀할로마스크 작업후 발생된 상기 비트라인콘택노드부 상부의 감광막스컴을 제거하되, 낮은 파워하에서 플라즈마식각을 진행하는 단계; 및상기 셀할로마스크 및 게이트라인을 이온주입배리어로 상기 비트라인콘택노드부에 대해 셀할로이온주입을 진행하는 단계를 포함하
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