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병원균 측정 바이오센서 및 그 제조방법과 병원균 측정 방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • C12Q-001/04
출원번호 10-1995-0015142 (1995-06-09)
공개번호 10-1997-0001552 (1997-01-24)
등록번호 10-0244001-0000 (1999-11-19)
DOI http://doi.org/10.8080/1019950015142
발명자 / 주소
  • 우형석 / 경기도성남시분당구장안동건영******동***호
  • 이재경 / 성남시분당구서현동***대우******동***호
  • 김도균 / 경기도성남시분당구야탑동쌍용아파트***-***
출원인 / 주소
  • 고등기술연구원연구조합 / 경기 용인시 처인구 백암면 고안리 ***-*
대리인 / 주소
  • 박영우; 박희진 (PARK, Young Woo)
  • 서울 강남구 역삼동 ***-** 세일빌딩 *층(**세기특허법률사무소); 서울시 강남구 역삼동 ***-** 밀레하우스빌딩 ***호(세기 특허법률사무소)
심사청구여부 있음 (1997-12-03)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 소멸

초록

본 발명은 전도성 고분자 표면에 병원균이 인식가능한 합성 고분자와 전계효과 트렌지스터(FET)를 결합시켜 병원균을 측정하는 바이오센서에 관한 것으로, 병원균의 측정을 신속하고 간편하게하며, 개인이 휴대하기 편하도록 고안하여 병원의사전 예방이 가능한 것을 목적으로 하기 때문에 전도성 고분자에 병원균이 인식 가능한 고분자를 접합시켜 이를 전계 효과 트렌지스터의 반도체 박막으로 제작하여 병원균이 고분자를 인식하고 반응하여 발생되는 물리적 특성 변화를 전기적신호로 처리하여 병원균을 측정하는 것을 특징으로 한다. 따라서 고분자를 이용한 병원

대표청구항

병원균이 인식가능한 고분자 물질을 전도성 고분자 박막 상부에 다중 박막 형태로 접합시켜 인공적인 흡착표면으로 이루어진 반도체 박막과, 상기 반도체 박막 하부에서 상기 병원균 인식 고분자가 병원균과 반응한 후의 물리적인 특성 변화를 전기적 신호로 바꾸어주는 금속·절연체·반도체 전계효과 트렌지스터(metal-insulator-semiconductorfield-effect transistor; MISFET)를 포함하는 병원균 측정 바이오센서.

발명자의 다른 특허 :

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