초록 ▼

본 발명은 다수의 적층구조를 갖는 후막형 가스센서에 관한 것으로 그 기술적인 구성은, 기판(1)상에 양측으로 저항변화 검출용 적극인 센서소자 전극(2)을 개재하여 일정두께의 후막(3)이 형성되며, 그 상측에는 절연체층(4)을 개재하여 양측에 센서소자 전극(2')이 마련된 후막(3')이 순차로 다수의 층으로 적층토록 되며, 상기 기판(1)의 하측에는 발열체 전극(5)을 개재하여 발열체(6)가 형성되는 것이다.이에 따라서, 복수층으로 형성된 후막에 의해 별도의 조성이 필요 없이도 서로 다른 다종류의 특성가스를 검출할 수 있게됨은 물론,

본 발명은 다수의 적층구조를 갖는 후막형 가스센서에 관한 것으로 그 기술적인 구성은, 기판(1)상에 양측으로 저항변화 검출용 적극인 센서소자 전극(2)을 개재하여 일정두께의 후막(3)이 형성되며, 그 상측에는 절연체층(4)을 개재하여 양측에 센서소자 전극(2')이 마련된 후막(3')이 순차로 다수의 층으로 적층토록 되며, 상기 기판(1)의 하측에는 발열체 전극(5)을 개재하여 발열체(6)가 형성되는 것이다.이에 따라서, 복수층으로 형성된 후막에 의해 별도의 조성이 필요 없이도 서로 다른 다종류의 특성가스를 검출할 수 있게됨은 물론, 하나의 감응체로서 가스의 선택성을 부여하여 다양한 센싱특성을 얻을 수 있게되며, 이에 따라 가스센서의 특성을 향상시킬수 있는 것이다.

대표청구항

기판(1)상에 양측으로 저항변화 검출용 전극인 센서소자 전극(2)을 개재하여 일정두께의 후막(3)이 형성되며, 그 상측에는 절연체층(4)을 개재하여 양측에 센서소자 전극(2')이 마련된 후막(3')이 순차로 다수의 층으로 적층토록 되며, 상기 기판(1)의 하측에는 발열체 전극(5)을 개재하여 발열체(6)가 형성되는 구성으로 이루어진 것을 특징으로 하는 후막형 가스센서.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.

기판(1)상에 양측으로 저항변화 검출용 전극인 센서소자 전극(2)을 개재하여 일정두께의 후막(3)이 형성되며, 그 상측에는 절연체층(4)을 개재하여 양측에 센서소자 전극(2')이 마련된 후막(3')이 순차로 다수의 층으로 적층토록 되며, 상기 기판(1)의 하측에는 발열체 전극(5)을 개재하여 발열체(6)가 형성되는 구성으로 이루어진 것을 특징으로 하는 후막형 가스센서.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.