초록 ▼

소오스 드레인 간의 항복 전압(Bradkdown Voltage)을 개선한 SOI(Silicon-on-insulator) 구조의 MOSFET이 개시된다.본 발명은 제1도전형의 반도체 기판을 갖는 SOI(Silicon-on-insulator)층과, 이 SOI층 상부에 형성된 제2도전혀의 반도체층과, 이 반도체층 상에 게이트 산화막을 개재하여 형성된 게이트를 구비한 SOI 구조의 MOSFET에 있어서, 상기 반도체층은 상기 게이트 직하부의 채널영역과 이 채널영역의 양측에 채널영역과는 다른 도전형을 갖는 고농도의 소스 및 드레인 영역을 갖

소오스 드레인 간의 항복 전압(Bradkdown Voltage)을 개선한 SOI(Silicon-on-insulator) 구조의 MOSFET이 개시된다.본 발명은 제1도전형의 반도체 기판을 갖는 SOI(Silicon-on-insulator)층과, 이 SOI층 상부에 형성된 제2도전혀의 반도체층과, 이 반도체층 상에 게이트 산화막을 개재하여 형성된 게이트를 구비한 SOI 구조의 MOSFET에 있어서, 상기 반도체층은 상기 게이트 직하부의 채널영역과 이 채널영역의 양측에 채널영역과는 다른 도전형을 갖는 고농도의 소스 및 드레인 영역을 갖으며, 상기 채널영역은, 그 상, 하부의 불순물 농도가 서로 다르게 차별화된 도핑 프로파일을 갖는다.

대표청구항

제1전도형의 반도체 기판, 매몰산화층, 이 매몰산화층 상부에 형성된 제2전도형의 반도체층과, 이 반도체층 상에 게이트 산화막을 개재하여 형성된 게이트를 구비한 SOI 구조의 MOSFET에 있어서, 상기 반도체층은 상기 게이트 직하부의 채널영역과 이 채널영역의 양측에 채널영역과는 다른 도전형을 갖는 고농도의 소스 및 드레인 영역을 갖으며, 상기 채널영역은, 그 상, 하부의 불순물 농도가 서로 다르게 차별화된 도핑 프로파일을 갖는 것을 특징으로 하는 SOI MOSFET.

제1전도형의 반도체 기판, 매몰산화층, 이 매몰산화층 상부에 형성된 제2전도형의 반도체층과, 이 반도체층 상에 게이트 산화막을 개재하여 형성된 게이트를 구비한 SOI 구조의 MOSFET에 있어서, 상기 반도체층은 상기 게이트 직하부의 채널영역과 이 채널영역의 양측에 채널영역과는 다른 도전형을 갖는 고농도의 소스 및 드레인 영역을 갖으며, 상기 채널영역은, 그 상, 하부의 불순물 농도가 서로 다르게 차별화된 도핑 프로파일을 갖는 것을 특징으로 하는 SOI MOSFET.