초록

본발명은 SOI 구조에서 MOSFET에 관한 것으로, 종래의 MOSFET가 일방향으로 활성영역이 형성되어 채널폭과 채널길이가 한가지로 고정됨으로써 회로 설계시, 설계의 융통성이 결여됨을 개선하기 위한 것이다.이와같은 본발명은 활성영역을 채널폭과 채널길이가 다르도록 수직, 수평 방향으로 형성한 +자 모양으로 형성하여 회로 설계시 채널을 선택할수 있도록 한것이다.

대표청구항

SOI 구조의 반도체 소자에 있어서, 수직, 수평방항으로 채널폭(W1,W2)과 채널 길이 (L1,L2)가 다르게 자 모양으로 활성영역(4)을 형성하고, 활성영역(4)의 중앙부위에 게이트(1)를 형성 하여 이루어짐을 특징으로 하는 MOSFET의 구조.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.

SOI 구조의 반도체 소자에 있어서, 수직, 수평방항으로 채널폭(W1,W2)과 채널 길이 (L1,L2)가 다르게 자 모양으로 활성영역(4)을 형성하고, 활성영역(4)의 중앙부위에 게이트(1)를 형성 하여 이루어짐을 특징으로 하는 MOSFET의 구조.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.