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[한국특허] 반도체 소자의 확산 방지막 형성 방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC8판)
  • H01L-029/36
출원번호 10-1995-0065709 (1995-12-29)
공개번호 10-1997-0054324 (1997-07-31)
DOI http://doi.org/10.8080/1019950065709
발명자 / 주소
  • 김삼동 / 경기도 성남시 분당구 분당동 샛별마을 삼부아파트 ***-***
  • 김정태 / 서울특별시 강동구 명일동 주공아파트 ***-***호
출원인 / 주소
  • 주식회사 하이닉스반도체 / 경기 이천시 부발읍 아미리 산***-*
대리인 / 주소
  • 신영무; 최승민 (SHIN, Young Moo)
  • 서울 중구 순화동 *-*** 에이스타워 *층; 서울 중구 순화동 *-*** 에이스타워 *층
심사진행상태 취하(심사미청구)
법적상태 취하

초록

본 발명은 반도체 소자의 확산 방지막 형성 방법에 관한 것으로, 누설 전류의 발생을 방지하기 위하여 확산 방지막을 다층으로 형성하되, 각 층의 결정입계의 분포 및 크기가 서로 다르게 형성되도록 하므로써 확산에 의한 누설 전류의 발생을 방지하여 소자의 신뢰성이 향상될 수 있도록 한 반도체 소자의 확산 방지막 형성방법에 관한 것이다.

대표청구항

반도체 소자의 확산 방지막 형성 방법에 있어서, 접합 영역이 형성된 실리콘 기판상에 절연층을 형성하고, 상기 접합 영역이 노출되도록 상기 절연층을 패터닝하여 콘택 홀을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 제1티타늄 나이트라이드, 티타늄 및 제2티타늄 나이트라이드를 순차적으로 증착하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 확산 방지막 형성 방법.

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