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NTIS 바로가기주관연구기관 | 주성엔지니어링 |
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연구책임자 | 조병하 |
참여연구자 | 강성철 , 김영민 , 백한별 , 곽재찬 , 서동원 , 신현욱 , 김세영 , 김순찬 , 김상엽 , 진세환 , 손진성 , 이용은 , 문진욱 , 김유성 , 전주석 , 조용진 , 김범준 , 전유진 , 편승철 , 김기강 , 연홍준 , 손청 , 박혜진 , 황철성 , 권대은 , 권영재 , 김금도 , 김동건 , 김언기 , 김유진 , 김한준 , 문태환 , 안철현 , 유시정 , 윤경진 , 이영환 , 이현재 , 임형광 , 장윤진 , 전우진 , 정민정 , 현승담 , 황은석 , 권대선 , 유찬영 , 송슬지 , 이웅규 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2017-09 |
과제시작연도 | 2016 |
주관부처 | (범부처사업) NTIS |
과제관리전문기관 | 나노융합2020사업단 Nano-Convergence foundation |
등록번호 | TRKO201800022710 |
과제고유번호 | 9991006054 |
사업명 | 나노융합2020 |
DB 구축일자 | 2018-06-16 |
키워드 | 디램.커패시터.질소 플라즈마.산화저항성.루세늄.DRAM.Capacitor.Nitrogen plasma.Oxidation Resistance.Ruthenium. |
◦ DRAM 커패시터의 전극막에 사용할 수 있는 재료의 양산기술 및 장비 개발
-환원 반응 기반의 Ru 전극막 원자층증착공정 기술 개발
(등가산화막 두께 8Å, Leakage 2 order 개선 (0.8V)_@ TiN 전극에서 Ru전극 적용 시)
- 플라즈마 처리 공정을 이용한 TiN 하부전극막 산화저항성 향상 기술 개발
(WIW Uniformity > 95%, BTB Uniformity > 97%, WTW Uniformity > 97% Particle < 30ea (> 0.12㎛),플라즈마 처리
Ⅳ. Result of R&D
- We have developed mass production technology and equipment for materials used in electrode film of DRAM capacitor(Satisfied quantitative targets of uniformity, step coverage, particle, and productivity)
- We have Secured Characteristics of capacity and leakage Current fr
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