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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-1996-0000303 (1996-01-09) |
공개번호 | 10-1997-0060538 (1997-08-12) |
등록번호 | 10-0378343-0000 (2003-03-18) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1019960000303 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2001-01-06) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 피라미드 구조가 형성되어 있는 반도체 기판 전면에는 산화막이 형성되어 있고, 평탄화된 구조를 갖는 반도체 기판 후면내의 하나이상의 홈에 p+층과 n+층이 교대로 형성되어 있고, 상기 p+층과 n+층 상부에 전도성 금속으로 이루어진 후면전극이 형성되어 있는 것을 특징으로 한느 후면 함몰전극형 태양전지를 제공한다. 본 발명에 딸른 태양전지는 반도체 기판 후면내에 깊게 파여진 홈에 전극을 형성하므로 종래의 후면 전극형 태양전지보다 전극으로 수집되기 위한 캐리아 이동거리가 짧아짐으로써 캐리아의 수집효율이 증대되며, 효과적인 후면
피라미드 구조가 형성되어 있는 반도체 기판 전면에는 산화막이 형성되어 있고, 평탄화된 구조를 갖는 반도체 기판 후면내의 하나 이상의 홈에 p+층과 n+층이 교대로 형성되어 있고, 상기 p+층과 n+층 상부에 전도성 근속으로 이루어진 후면전극이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 후면 함몰전극형 태양전지.
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