초록 ▼

본 발명은 ITO(In2O3 ·SnO2) 또는 SnO2 : F 투명전도성 유리기판에 특정조건의 용액성장법으로 CdS박막을 제조하여 열처리한 다음, EB(Electron Beam)법, 가열증착(Thermal Evaporation)법, 스퍼터링(Sputtering)법등의 방법으로 CdTe 박막을 CdS 박막위에 형성시킨 후, 열처리를 하고 2~20%의 크롬산용액으로 화학적 식각처리를 행하고 히드라진 수화물로 산화막을 제거한 다음, 세정하고 건조하여 Au 또는 Cu/Au를 증착시킨 후 열처리함을 특징으로하는 용액성장법 CdS 박막을 이용

본 발명은 ITO(In2O3 ·SnO2) 또는 SnO2 : F 투명전도성 유리기판에 특정조건의 용액성장법으로 CdS박막을 제조하여 열처리한 다음, EB(Electron Beam)법, 가열증착(Thermal Evaporation)법, 스퍼터링(Sputtering)법등의 방법으로 CdTe 박막을 CdS 박막위에 형성시킨 후, 열처리를 하고 2~20%의 크롬산용액으로 화학적 식각처리를 행하고 히드라진 수화물로 산화막을 제거한 다음, 세정하고 건조하여 Au 또는 Cu/Au를 증착시킨 후 열처리함을 특징으로하는 용액성장법 CdS 박막을 이용한 CdTe/CdS 태양전지의 제조방법에 관한 것으로, 에너지 변환 효율이 7% 이상을 나타내고 저렴한 제조원가가 소요되는 CdS 박막을 이용한 CdTe/CdS 태양전지를 용이하게 제조할 수 있었다.

대표청구항 ▼

ITO(In2O3·SnO2) 또는 SnO2 : F 투명전도성 유리기판에 용액성장법으로 CdS 박막을 제조하는 공정; 제조된 CdS 박막의 열처리공정; CdS 박막위에 CdTe 박막을 제조하는 공정; 제조된 CdTe 박막의 열처리공정; 제조된 CdTe 박막 표면의 불순물을 제거하고 표면 조성비를 변화시키기 위해 2~20%의 크롬산용액으로 화학적 식각처리를 행하고 환원제로서 히드라진 수화물로 산화막을 제거하는공정; 유기용제로 세정한 후 N2 가스로 건조시키는 공정; Au 또는 Cu/Au를 배선 금속으로 중착하고열처리하는 공정으로 구성됨

ITO(In2O3·SnO2) 또는 SnO2 : F 투명전도성 유리기판에 용액성장법으로 CdS 박막을 제조하는 공정; 제조된 CdS 박막의 열처리공정; CdS 박막위에 CdTe 박막을 제조하는 공정; 제조된 CdTe 박막의 열처리공정; 제조된 CdTe 박막 표면의 불순물을 제거하고 표면 조성비를 변화시키기 위해 2~20%의 크롬산용액으로 화학적 식각처리를 행하고 환원제로서 히드라진 수화물로 산화막을 제거하는공정; 유기용제로 세정한 후 N2 가스로 건조시키는 공정; Au 또는 Cu/Au를 배선 금속으로 중착하고열처리하는 공정으로 구성됨을 특징으로 하는 용액 성장법 CdS 박막을 이용한 CdTe/CdS 태양전지의 제조방법.