초록 ▼

[구성]실리콘 탄화물 금속산화물 반도체 전계효과 트랜지스터에 있어서제1도우핑 농도를 가진 제1도체형의 실리콘 탄화물기판(11)과, 제1도형을 가지며 제1도우핑 농도보다 적은 제2도우핑 농도를 갖는 기판상의 드리프트층(12)과, 표면과, 제1도체형과, 제2도우핑농도보다 작은 제3도우핑 농도를 가진 드리프트층상의 항복 강화를 (20)과, 제1도체형과 제2도우핑을 농도보다 작은 제4도우핑 농도를 가지며, 항복 강화층상에 있으며 항복 강화층의 표면위에연장되는 채널 영역(14)과, 게이트 절연기가 항복 강화층과 경계면을 갖는 채널 영역의

[구성]실리콘 탄화물 금속산화물 반도체 전계효과 트랜지스터에 있어서제1도우핑 농도를 가진 제1도체형의 실리콘 탄화물기판(11)과, 제1도형을 가지며 제1도우핑 농도보다 적은 제2도우핑 농도를 갖는 기판상의 드리프트층(12)과, 표면과, 제1도체형과, 제2도우핑농도보다 작은 제3도우핑 농도를 가진 드리프트층상의 항복 강화를 (20)과, 제1도체형과 제2도우핑을 농도보다 작은 제4도우핑 농도를 가지며, 항복 강화층상에 있으며 항복 강화층의 표면위에연장되는 채널 영역(14)과, 게이트 절연기가 항복 강화층과 경계면을 갖는 채널 영역의 측부(26)상의 게이트 절연기(17)를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 탄화물 금속 산화물 반도체 전계효과 트랜지스터.

대표청구항 ▼

실리콘 탄화물 금속산화물 반도체 전계효과 트랜지스터에 있어서, 제1도우핑 농도를 가진 제1도체형의 실리콘 탄화물기판(11)과,제1도체형을 가지며 제1도우핑 농도보다 적은 제2도우핑 농도를 갖는 기판상의 드리프트층(12)과, 표면과, 제1도체형과,제2도우핑을 농도보다 작은 제3도우핑 농도를 가진 드리프트층상의 항복 강화를 (20)과, 제1도체형과 제2도우핑을 농도보다 작은 제4도우핑 농도를 가지며, 항복 강화층상에 있으며, 항복 강화층의 표면위에 연장되는 채널 영역(14)과, 게이트 절연기가 항복 강화층과 경계면을 갖는 채널 영역의

실리콘 탄화물 금속산화물 반도체 전계효과 트랜지스터에 있어서, 제1도우핑 농도를 가진 제1도체형의 실리콘 탄화물기판(11)과,제1도체형을 가지며 제1도우핑 농도보다 적은 제2도우핑 농도를 갖는 기판상의 드리프트층(12)과, 표면과, 제1도체형과,제2도우핑을 농도보다 작은 제3도우핑 농도를 가진 드리프트층상의 항복 강화를 (20)과, 제1도체형과 제2도우핑을 농도보다 작은 제4도우핑 농도를 가지며, 항복 강화층상에 있으며, 항복 강화층의 표면위에 연장되는 채널 영역(14)과, 게이트 절연기가 항복 강화층과 경계면을 갖는 채널 영역의 측부(26)상의 게이트 절연기(17)를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 탄화물 금속 산화물 반도체 전계효과 트랜지스터