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[한국특허] 전기접점용 주석-납 합금도금 제조방법
Sn-Pb alloy plating manufacturing method for electric contact
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IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC9판)
  • C25D-003/60
출원번호 10-1996-0005792 (1996-03-06)
공개번호 10-1997-0065777 (1997-10-13)
등록번호 10-0223320-0000 (1999-07-09)
DOI http://doi.org/10.8080/1019960005792
발명자 / 주소
  • 김창하 / 대전광역시 유성구 전민동 엑스포 아파트 ***-***
  • 김근영 / 대전광역시 서구 내동 롯데아파트 ***-***
출원인 / 주소
  • 주식회사 케이티 / 경기 성남시 분당구 정자동 ***
대리인 / 주소
  • 이정훈; 이권희 (LEE, Jung Hoon)
  • 서울 강남구 역삼동 ***-** 한국타이어빌딩*-*층(특허법인태평양); 서울 강남구 역삼동 ***-** 큰길타워*층(한양특허법인)
심사청구여부 있음 (1996-03-06)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 소멸

초록

본 발명은 전자 및 통신장비에 내장되어 있는 콘넥터의 접속성능을 향상시키기 위해 사용되는 전기접점용 주석-납 합금도금의 제조방법에 관한 것으로, 먼저 동판위 니켈을 도금하고나서 붕불화주석, 붕불화납, 유리붕불산을 함유한 도금욕에 펩톤, 젤라틴, 베타-나프톨, 하이드로퀴논을 첨가하고, 1.5-2.5A/d㎡의 전류밀도를 가하면서 5-10중량%의 납을 함유한 합금도금층을 제조하는 방법에 관한 것이다.

대표청구항

a) 동판위에 니켈을 도금하는 단계, b) 40-70g/l의 붕불화주석, 3-18g/l의 붕불화납, 300-400g/l의 유리붕불산 및 25g/l의 유리붕산을 함유하는 도금욕에서, a) 단계를 거친 동판위에 직류전기를 가하는 단계로 이루어짐을 특징으로 하여 5-10중량%의 납을 함유하는 전기접점용 주석-납 합금도금의 제조 방법.제1항에 있어서, b) 단계의 도금욕에 추가로 펩톤 4-5g/l, 젤라틴 2g/l, 베타-나프톨 1g/l, 하이드로퀴논 1g/l을 함유함을 특징으로 하는 방법.제1항 또는 제2항에 있어서, 음극 전류밀도가 1

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