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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-1996-0005792 (1996-03-06) |
공개번호 | 10-1997-0065777 (1997-10-13) |
등록번호 | 10-0223320-0000 (1999-07-09) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1019960005792 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (1996-03-06) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 전자 및 통신장비에 내장되어 있는 콘넥터의 접속성능을 향상시키기 위해 사용되는 전기접점용 주석-납 합금도금의 제조방법에 관한 것으로, 먼저 동판위 니켈을 도금하고나서 붕불화주석, 붕불화납, 유리붕불산을 함유한 도금욕에 펩톤, 젤라틴, 베타-나프톨, 하이드로퀴논을 첨가하고, 1.5-2.5A/d㎡의 전류밀도를 가하면서 5-10중량%의 납을 함유한 합금도금층을 제조하는 방법에 관한 것이다.
a) 동판위에 니켈을 도금하는 단계, b) 40-70g/l의 붕불화주석, 3-18g/l의 붕불화납, 300-400g/l의 유리붕불산 및 25g/l의 유리붕산을 함유하는 도금욕에서, a) 단계를 거친 동판위에 직류전기를 가하는 단계로 이루어짐을 특징으로 하여 5-10중량%의 납을 함유하는 전기접점용 주석-납 합금도금의 제조 방법.제1항에 있어서, b) 단계의 도금욕에 추가로 펩톤 4-5g/l, 젤라틴 2g/l, 베타-나프톨 1g/l, 하이드로퀴논 1g/l을 함유함을 특징으로 하는 방법.제1항 또는 제2항에 있어서, 음극 전류밀도가 1
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