초록 ▼

본 발명은 포토리소그래피 공정에 있어서, 소정의 패턴이 형성될 웨이퍼에 감광막을 구비한 후, 상기 웨이퍼를 소정의 열처리(Bake)온도와 시간을 통한 공정조건을 구성하고, 상기 웨이퍼를 노광공정에 따라 감광막을 현상(Development)하는 과정에서 최초의 감광막 두께로부터 노광시간의 변화에 따라 대응되는 소정의 변화량을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 제조방법에 관한 것으로, 웨이퍼상에 구현되는 패턴의 프로파일을 결정하는 중요한 변수인 감광막을 통하여 노광시간의 변화량과 상기 감광막의 잔여 두께의 변화량에 따라 상기 웨이퍼에 전

본 발명은 포토리소그래피 공정에 있어서, 소정의 패턴이 형성될 웨이퍼에 감광막을 구비한 후, 상기 웨이퍼를 소정의 열처리(Bake)온도와 시간을 통한 공정조건을 구성하고, 상기 웨이퍼를 노광공정에 따라 감광막을 현상(Development)하는 과정에서 최초의 감광막 두께로부터 노광시간의 변화에 따라 대응되는 소정의 변화량을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 제조방법에 관한 것으로, 웨이퍼상에 구현되는 패턴의 프로파일을 결정하는 중요한 변수인 감광막을 통하여 노광시간의 변화량과 상기 감광막의 잔여 두께의 변화량에 따라 상기 웨이퍼에 전사되는 후속 패턴의 프로파일을 예측할 수가 있으므로 복잡한 공정을 배제할 수 있는 동시에 제조수율의 향상과 이윤의 극대화를 이룰수가 있다.

대표청구항 ▼

사진식각 공정에 있어서, 소정의 패턴이 형성될 웨이퍼에 포토레지스트를 구비한 후, 상기 웨이퍼를 소정의 열처리(Bake)온도와 시간을 통한 공정조건을 구성하고, 상기 웨이퍼를 노광공정에 따라 포토레지스트막을 현상(Development)하는 과정에서 최초의 포토레지스트 두께로부터 현상되는 감광막의 잔여두께 변화량에 노광시간의 변화량에 따라 대응되는 소정의 함수값을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 제조방법.제1항에 있어서, 상기 노광시간의 변화량에 포토레지스트 잔여두께의 변화량은 상기 웨이퍼상에 구현되는 후속 패턴의 프로파일인 단면도

사진식각 공정에 있어서, 소정의 패턴이 형성될 웨이퍼에 포토레지스트를 구비한 후, 상기 웨이퍼를 소정의 열처리(Bake)온도와 시간을 통한 공정조건을 구성하고, 상기 웨이퍼를 노광공정에 따라 포토레지스트막을 현상(Development)하는 과정에서 최초의 포토레지스트 두께로부터 현상되는 감광막의 잔여두께 변화량에 노광시간의 변화량에 따라 대응되는 소정의 함수값을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 제조방법.제1항에 있어서, 상기 노광시간의 변화량에 포토레지스트 잔여두께의 변화량은 상기 웨이퍼상에 구현되는 후속 패턴의 프로파일인 단면도인 것을 특징으로 하는 반도체 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.