초록 ▼

본 발명은 유리기판 상에 증착되는 금속박막의 접착력을 향상시키는 방법에 관한 것으로, 이온주입장치와 거대한 장치를 사용하지 않으면서 저 에너지의 고전류 이온을 이용하여 소재 특성의 열화를 없애고, 금속박막과 유리기판의 접착력을 향상시키는 방법이다.본 발명은 유리기판을 초음파 용기에서 아세톤으로 세척하고, 증류수로 세척한 후에 질소분위기에서 소정의 온도로 일정시간 건조하며, 건조된 유리기판을 진공조에 넣고 고전류 이온원을 사용하여 수 keV 이온을 만들어 금속표적에 조사함으로써 금속원자를 스퍼터링시켜 유리기판에 금속을 증착하고, 이와

본 발명은 유리기판 상에 증착되는 금속박막의 접착력을 향상시키는 방법에 관한 것으로, 이온주입장치와 거대한 장치를 사용하지 않으면서 저 에너지의 고전류 이온을 이용하여 소재 특성의 열화를 없애고, 금속박막과 유리기판의 접착력을 향상시키는 방법이다.본 발명은 유리기판을 초음파 용기에서 아세톤으로 세척하고, 증류수로 세척한 후에 질소분위기에서 소정의 온도로 일정시간 건조하며, 건조된 유리기판을 진공조에 넣고 고전류 이온원을 사용하여 수 keV 이온을 만들어 금속표적에 조사함으로써 금속원자를 스퍼터링시켜 유리기판에 금속을 증착하고, 이와 같이 증착된 금속박막을 다시 1keV의 Ar이온으로 조사하여 금속박막을 밀한 상태로 만들어 금속박막과 유리기판의 접착력을 향상시키도록 하였다.본 발명에 의한 접착방법에 의하여 금속박막과 유리기판의 접착력이 최대 9배까지 증가함을 보임으로써 상온에서도 고전류의 낮은 에너지를 이용하여 접착력이 우수한 박막을 제작할 수 있었다.

대표청구항 ▼

증착시키고자 하는 금속을 유리기판에 증착하고 난 후, 증착된 금속박막에 불활성 기체 또는 반응성 가스의 이온을 일정한 에너지를 가지고 조사하여 금속박막의 빈 공간(void)을 줄여 밀한(dense)박막으로 만들어 줌으로써 금속과 유리기판의 접착력을 향상시키도록 한 금속박막의 접착력 증대 방법.제1항에 있어서, 상기 이온의 종류는 He, Ne, Ar, Kr, Xe등과 같은 불활성 기체 또는, N2, O2, 공기 등과 같은 반응성 가스 중에서 선택된 어느 한 가지 기체인 것을 특징으로 하는 금속박막의 접착력 증대 방법.제1항에 있어서,

증착시키고자 하는 금속을 유리기판에 증착하고 난 후, 증착된 금속박막에 불활성 기체 또는 반응성 가스의 이온을 일정한 에너지를 가지고 조사하여 금속박막의 빈 공간(void)을 줄여 밀한(dense)박막으로 만들어 줌으로써 금속과 유리기판의 접착력을 향상시키도록 한 금속박막의 접착력 증대 방법.제1항에 있어서, 상기 이온의 종류는 He, Ne, Ar, Kr, Xe등과 같은 불활성 기체 또는, N2, O2, 공기 등과 같은 반응성 가스 중에서 선택된 어느 한 가지 기체인 것을 특징으로 하는 금속박막의 접착력 증대 방법.제1항에 있어서, 상기 이온의 에너지는 0.5∼30 keV인 것을 특징으로 하는 금속박막의 접착력 증대 방법.제1항에 있어서, 상기 조사되는 이온의 이온 선량은 1×1015 ∼ 1×1019 ions/cm²인 것을 특징으로 하는 금속박막의 접착력 증대 방법. ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.