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반도체 플라즈마 식각챔버 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC8판)
  • H01L-021/302
출원번호 10-1996-0039408 (1996-09-11)
공개번호 10-1998-0020809 (1998-06-25)
DOI http://doi.org/10.8080/1019960039408
발명자 / 주소
  • 박철규 / 경기도 수원시 팔달구 망포동 동광주택 *동 ***호
  • 이연휘 / 경기도 수원시 팔달구 매탄*동 ***-**번지
출원인 / 주소
  • 삼성전자주식회사 / 경기도 수원시 영통구 매탄동 ***
대리인 / 주소
  • 박만순; 신동준 (PARK, Man Soon)
  • 서울 강남구 역삼동 ***-** 덕원빌딩 *층; 서울서초구서초동****-*서초제일빌딩***호(인벤티브국제특허법률사무소)
심사청구여부 있음 (1996-09-11)
심사진행상태 포기(등록결정전 포기서제출)
법적상태 포기

초록 ▼

자기장(Magnetic Field)을 형성하는 철심을 챔버커버(Chamber Cover)에 부착하여 식각 공정시 자기장의 형성으로 플라즈마(Plasma)의 분포를 균일하게 유지시켜서 정확한 공정 수행을 할 수 있도록 개선시킨 반도체 플라즈마 식각챔버에 관한 것이다.본 발명은, 반도체 웨이퍼에 적층되는 막질을 플라즈마(Plasma)로 식각하기 위하여 식각챔버가 구비된 반도체 플라즈마 식각챔버에 있어서, 공정 수행시 자기장이 형성되는 철심이 부착되어 상

대표청구항

반도체 웨이퍼에 적층되는 막질을 플라즈마(Plasma)로 식각하기 위하여 식각챔버가 구비된 반도체 플라즈마 식각챔버에 있어서,공정 수행시 자기장이 형성되는 철심이 부착되어 상기 식각챔버를 덮는 챔버커버; 및전류의 공급에 의해 자기장이 형성되도록 상기 철심에 전류를 공급하는 전류공급부;를 구비하여 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 플라즈마 식각챔버.

발명자의 다른 특허 :

이 특허에 인용된 특허 (1)

  1. [일본] PLASMA DRY PROCESSOR | IKEGAMI NAOKATSU
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