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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-1996-0042221 (1996-09-24) |
공개번호 | 10-1998-0022924 (1998-07-06) |
등록번호 | 10-0403824-0000 (2003-10-18) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1019960042221 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2001-09-21) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 포토다이오드 디텍터에 관한 것으로서, 본 발명의 포토다이오드 디텍터는 InGaAs/InP계 포토다이오드의 In1-xGaxAs층을 In1-xGaxAs(x=0.47)층과 In1-xGaxAs(0.48≤x≤0.60)층의 복수의 층으로 이루어진 영역으로 구분하여 순차 성장시킴으로써, InGaAs 층에 침투되는 Zn의 확산속도를 조절할 수 있고, 누설전류에 의한 잡음성분을 감소시킬 수 있으며, 그 결과로서 포토다이오드 디텍터의 응답감도가 증대되는 포토다이오드 디텍터를 제공한다.
InP 기판; 상기 기판 위에 적층되고, 상기 기판에 접한 부분이 상기 캡층과 접한 부분보다 Ga의 조성값이 증가되는 경사형 조성을 갖는 In1-xGaxAs층; 상기 In1-xGaxAs층 위에 적층되는 InP 캡층; 상기 Inp 캡층의 중앙에 소정 폭의 개구부가 형성되도록 양쪽 가장자리 상면에 형성되는 SiO2층; 및 상기 개구부 아래의 상기 캡층 부분에 확산되어 형성되는 Zn 확산층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토다이오드 디텍터.제1항에 있어서, 상기 In1-xGaxAs층은 조성값이 x=0.47인 In1-xGaxAs층, x=
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