초록

본 발명은 포토다이오드 디텍터에 관한 것으로서, 본 발명의 포토다이오드 디텍터는 InGaAs/InP계 포토다이오드의 In1-xGaxAs층을 In1-xGaxAs(x=0.47)층과 In1-xGaxAs(0.48≤x≤0.60)층의 복수의 층으로 이루어진 영역으로 구분하여 순차 성장시킴으로써, InGaAs 층에 침투되는 Zn의 확산속도를 조절할 수 있고, 누설전류에 의한 잡음성분을 감소시킬 수 있으며, 그 결과로서 포토다이오드 디텍터의 응답감도가 증대되는 포토다이오드 디텍터를 제공한다.

대표청구항 ▼

InP 기판; 상기 기판 위에 적층되고, 상기 기판에 접한 부분이 상기 캡층과 접한 부분보다 Ga의 조성값이 증가되는 경사형 조성을 갖는 In1-xGaxAs층; 상기 In1-xGaxAs층 위에 적층되는 InP 캡층; 상기 Inp 캡층의 중앙에 소정 폭의 개구부가 형성되도록 양쪽 가장자리 상면에 형성되는 SiO2층; 및 상기 개구부 아래의 상기 캡층 부분에 확산되어 형성되는 Zn 확산층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토다이오드 디텍터.제1항에 있어서, 상기 In1-xGaxAs층은 조성값이 x=0.47인 In1-xGaxAs층, x=

InP 기판; 상기 기판 위에 적층되고, 상기 기판에 접한 부분이 상기 캡층과 접한 부분보다 Ga의 조성값이 증가되는 경사형 조성을 갖는 In1-xGaxAs층; 상기 In1-xGaxAs층 위에 적층되는 InP 캡층; 상기 Inp 캡층의 중앙에 소정 폭의 개구부가 형성되도록 양쪽 가장자리 상면에 형성되는 SiO2층; 및 상기 개구부 아래의 상기 캡층 부분에 확산되어 형성되는 Zn 확산층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토다이오드 디텍터.제1항에 있어서, 상기 In1-xGaxAs층은 조성값이 x=0.47인 In1-xGaxAs층, x=0.48인 In1-xGaxAs층, x=0.50인 In1-xGaxAs층, x=0.52인 In1-xGaxAs층, x=0.54인 In1-xGaxAs층, x=0.56인 In1-xGaxAs층, x=0.58인 In1-xGaxAs층 및 x=0.60인 In1-xGaxAs층으로 순차 성장되는 것을 특징으로 하는 포토다이오드 디텍터.InP 기판 위에 Ga의 조성값이 증가되는 경사형 조성을 갖는 In1-xGaxAs층 및 InP 캡층을 순차 성장시켜 적층하는 성장단계;상기 결과물의 캡층 상면 중앙에 소정 폭의 개구부를 형성하도록 산화막층을 증착하고, 상기 산화막의 개구부의 양측면과 이 양측면에 인접한 상기 산화막층의 상면 일부에 금속층을 형성하는 증착단계; 및상기 개구부 아래의 캡층 부분에 Zn를 확산시켜 Zn 확산층을 형성하는 확산단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토다이오드 디텍터의 제조방법.