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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-1996-0042498 (1996-09-25) |
공개번호 | 10-1997-0015460 (1997-04-28) |
등록번호 | 10-0196886-0000 (1999-02-23) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1019960042498 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (1996-09-25) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
수성 질산을 기체-액체 접촉 반응기 안에서 기상 이산화황과 반응시켜 산화질소를 제조한다. 반응은 부생성물인 아산화질소 및 질소의 생성을 최소화하기 위해 화학량론적 과량의 질산의 존재하에 수행된다. 산화질소기체 생성물에 함유된 대부분의 물 및 부생성물인 아산화질소를 냉동시키기에 충분할 정도로 산화질소 기체 생성물을 냉각시킨다. 이산화질소를 우선적으로 흡착하는 흡착제를 사용하는 흡착 분리에 의해 잔류하는 이산화질소를 제거할 수 있다.
질산 수용액을 기상 이산화황과 기체-액체 접촉 대역에서 접촉시킴으로써 산화질소를 포함하는 기체 생성물을 제조함을 포함하는 산화질소의 제조방법에 있어서, 질산과 이산화황을, 0.7 : 1 이상의 질산 대 이산화황의 몰 비로 접촉 대역 안으로 도입함으로써 아산화질소 및 질소가 제거된 산화질소 기체 생성물을 제조하는 점이 개선된 방법.
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