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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-1996-0049279 (1996-10-28) |
공개번호 | 10-1998-0029946 (1998-07-25) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1019960049279 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사진행상태 | 취하(심사미청구) |
법적상태 | 취하 |
본 발명은 반도체장치 제조용 급속 열처리(이하 'RTP'라 약칭)장비에 관한 것이다.본 발명에 따른 반도체장치 제조용 RTP장비는, 웨이퍼가 거치되는 구조체, 상기 웨이퍼를 가열하기 위한 히터, 상기 구조체와 상기 히터를 포괄하는 챔버 벽체를 구비하여 이루어지는 RTP장비에 있어서, 상기 구조체에 온도정보를 발신할 수 있는 온도측정장치가 부착되고 상기 온도측정장치의 신호를 받아 온도를 표시하는 표시장치가 더 구비되어 이루어지는 것을 특징으로
웨이퍼가 거치되는 구조체, 상기 웨이퍼를 가열하기 위한 히터, 상기 구조체와 상기 히터를 포괄하는 챔버 벽체를 구비하여 이루어지는 급속 열처리(RTP)장비에 있어서,상기 구조체의 적어도 일부에 온도정보를 발신할 수 있는 온도측정장치가 부착되고 상기 온도측정장치의 신호를 받아 온도를 표시하는 표시장치가 더 구비되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제조용 급속 열처리장비.
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