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반도체장치 제조용 급속 열처리(RTP)장비 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC8판)
  • H01L-021/324
출원번호 10-1996-0049279 (1996-10-28)
공개번호 10-1998-0029946 (1998-07-25)
DOI http://doi.org/10.8080/1019960049279
발명자 / 주소
  • 유승일 / 서울특별시 강북구 미아*동 *-***번지 미아타운 **동 ***호
  • 이정규 / 서울특별시 강남구 일원동 현대아파트 **동 ***호
출원인 / 주소
  • 삼성전자주식회사 / 경기도 수원시 영통구 매탄동 ***
대리인 / 주소
  • 박만순; 신동준 (PARK, Man Soon)
  • 서울 강남구 역삼동 ***-** 덕원빌딩 *층; 서울서초구서초동****-*서초제일빌딩***호(인벤티브국제특허법률사무소)
심사진행상태 취하(심사미청구)
법적상태 취하

초록

본 발명은 반도체장치 제조용 급속 열처리(이하 'RTP'라 약칭)장비에 관한 것이다.본 발명에 따른 반도체장치 제조용 RTP장비는, 웨이퍼가 거치되는 구조체, 상기 웨이퍼를 가열하기 위한 히터, 상기 구조체와 상기 히터를 포괄하는 챔버 벽체를 구비하여 이루어지는 RTP장비에 있어서, 상기 구조체에 온도정보를 발신할 수 있는 온도측정장치가 부착되고 상기 온도측정장치의 신호를 받아 온도를 표시하는 표시장치가 더 구비되어 이루어지는 것을 특징으로

대표청구항

웨이퍼가 거치되는 구조체, 상기 웨이퍼를 가열하기 위한 히터, 상기 구조체와 상기 히터를 포괄하는 챔버 벽체를 구비하여 이루어지는 급속 열처리(RTP)장비에 있어서,상기 구조체의 적어도 일부에 온도정보를 발신할 수 있는 온도측정장치가 부착되고 상기 온도측정장치의 신호를 받아 온도를 표시하는 표시장치가 더 구비되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제조용 급속 열처리장비.

발명자의 다른 특허 :

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