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| 국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
|---|---|
| 국제특허분류(IPC8판) |
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| 출원번호 | 10-1996-0061309 (1996-12-03) |
| 공개번호 | 10-1998-0006668 (1998-03-30) |
| DOI | http://doi.org/10.8080/1019960061309 |
| 발명자 / 주소 |
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| 출원인 / 주소 |
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| 대리인 / 주소 |
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| 심사청구여부 | 있음 (1996-12-03) |
| 심사진행상태 | 취하(등록결정전 취하서제출) |
| 법적상태 | 취하 |
[과제] 양호한 소자분리특성 및 넓은 변조대역폭을 가지고, 또한, 각각의 소자를 충분한 성능으로 동작시킬수 있는 2개 이상의 광반도체 소자를 집적화하여 되는 광반도체 장치, 및 광반도체 장치의 제조방법을 제공하는 것.[해결수단] 광변조기 102와 DFB 레이저 101를 직접화함과 동시에, 메사구조 12를 매립하는 반절연성 Fe 도우프 InP 층 8,10의 사이에, 광변조기 102와 DFB 레이저 101에 결쳐서, 캐리어농도가 1×1018cm-3보다 크고, 4×1018cm-3이하로 되는 n형 InP 홀블록킹층9를 구비하는 구성으로 된
n형 InP 기판상에 배치된 n형 클래드층, 다중양자우물층, 및 제1의 p형 상부 클래드층으로 이루어지는 스트라이프형의 메사구조와 해당 메사구조를 매립하도록 아래에서 위호 순차 배치된, 반절연성 재료로 이루어지는 제1의 층과, 캐리어농도가 1×1018cm-3보다 크고, 4×1018cm13이하인 n형 InP으로 이루어지는 홀블록킹충, 및 반절연성재료로 이루어지는 제2의 층과, 상기 메사구조상, 및 상기 반졀연성재료로 이루어지는 제2의 층상에 배치된 제2의 p형 클래드층, 및 p형 콘택트층과, 상기 p형 콘택트층상에, 상기 메사구조의
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