초록

본 발명은 산화탄탈륨 박막 제조방법에 관한 것으로서, 산화탄탈륨소스와 산소외에 H2O기체를 반응기로 함께 유입시킴에 의하여 상기 산화탄탈륨소스와 산소가 반응하여 산화탄탈륨이 되는 화학반응을 활성화시켜 산화탄탈륨박막의 성장속도를 빠르게 하므로써, 단위시간당 처리하는 웨이퍼의 양이 많아지도록하고, 이에 따라 매엽식 장비의 개발에도 문제가 없도록 한 것이다.

대표청구항

탄탈륨소스탱크에 담겨 있다가 캐리어가스의 압력에 의해 기화기로 보내어져 기화된 후 상기 캐리어가스에 의해 반응기로 유입되는 탄탈륨소스와, 상기 탄탈륨소스와 다른 라인을 통해 상기 반응기로 유입되는 산소가 반응기내에서 화학반응을 일으켜서 반응기의 하부에 놓여진 웨이퍼의 표면에 산화탄탈륨 박막을 형성하는, 화학기상증착에 의한 산화탄탈륨 박막 제조방법에 있어서, 상기 탄탈륨소스와 산소외에 H2O기체를 반응기내로 유입시켜 상기 화학반응을 활성화시키는 것을 특징으로 하는 산화탄탈륨 박막 제조방법.

탄탈륨소스탱크에 담겨 있다가 캐리어가스의 압력에 의해 기화기로 보내어져 기화된 후 상기 캐리어가스에 의해 반응기로 유입되는 탄탈륨소스와, 상기 탄탈륨소스와 다른 라인을 통해 상기 반응기로 유입되는 산소가 반응기내에서 화학반응을 일으켜서 반응기의 하부에 놓여진 웨이퍼의 표면에 산화탄탈륨 박막을 형성하는, 화학기상증착에 의한 산화탄탈륨 박막 제조방법에 있어서, 상기 탄탈륨소스와 산소외에 H2O기체를 반응기내로 유입시켜 상기 화학반응을 활성화시키는 것을 특징으로 하는 산화탄탈륨 박막 제조방법.