초록

본 발명은 반도체 소자의 구리배선 형성방법에 관한 것으로, 특히 구리층을 150∼200℃의 온도에서 Cl2 개스와 Ar 개스가 포함된 화합물을 사용한 플라즈마 건식 식각공정을 실시하여 구리배선을 형성하므로써, 플라즈마 건식 식각(plasma dry etch)방식만을 적용하여 양호한 형상 제어(profile control) 및 배선 가공에 대한 신뢰도를 향상시킬 수 있는 반도체 소자의 구리배선 형성방법에 관하여 기술된다.

대표청구항

반도체 소자의 구리배선 형성방법에 있어서,반도체 기판에 형성된 절연층상에 구리층 및 하드 마스크층을 순차적으로 형성하는 단계;상기 하드 마스크층을 포토레지스트 패턴을 이용한 식각 공정으로 식각하여 하드 마스크를 형성하는 단계; 및상기 포토레지스트 패턴을 제거한 후, 상기 구리층을 상기 하드 마스크를 이용한 식각공정으로 식각하여 구리배선을 형성하고, 상기 하드 마스크를 제거하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 구리배선 형성방법.

반도체 소자의 구리배선 형성방법에 있어서,반도체 기판에 형성된 절연층상에 구리층 및 하드 마스크층을 순차적으로 형성하는 단계;상기 하드 마스크층을 포토레지스트 패턴을 이용한 식각 공정으로 식각하여 하드 마스크를 형성하는 단계; 및상기 포토레지스트 패턴을 제거한 후, 상기 구리층을 상기 하드 마스크를 이용한 식각공정으로 식각하여 구리배선을 형성하고, 상기 하드 마스크를 제거하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 구리배선 형성방법.