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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-1997-0014682 (1997-04-21) |
공개번호 | 10-1998-0077522 (1998-11-16) |
등록번호 | 10-0252913-0000 (2000-01-21) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1019970014682 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (1997-04-21) |
심사진행상태 | 등록결정(심사전치후) |
법적상태 | 소멸 |
에스램 셀의 억세스 트랜지스터에 적용하여 에스램 셀의 동작특성을 향상시키기에 적당한 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로 이와 같은 반도체 소자는 본 발명 반도체 소자는 반도체 기판상에 형성된 게이트절연막과, 상기 게이트절연막상에 형성된 게이트 전극과, 상기 게이트 전극양측에 서로 다른 길이를 갖고 상기 기판내에 형성된 저농도불순물영역과, 상기 저농도불순물영역에서 부터 확장되어 상기 반도체 기판내에 형성된 고농도 불순물영역을 포함하는 것을 특징으로 한다.
반도체 기판상에 형성된 게이트절연막과,상기 게이트절연막상에 형성된 게이트 전극과,상기 게이트 전극 일측의 일정부분이 함몰되어 형성된 함몰부와,상기 게이트 전극 측면 및 상기 함몰부를 덮도록 다른 폭으로 형성된 측벽절연막과,상기 게이트 전극 일측의 함몰부 및 타측면에 서로 다른 폭을 갖도록 형성된 측벽절연막에 대응되는 상기 반도체 기판에 형성된 저농도 불순물영역과,상기 측벽절연막으로 부터 확장되어 상기 반도체 기판내에 형성된 고농도불순물영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
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