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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-1993-0004107 (1993-03-17) |
공개번호 | 10-1994-0022919 (1994-10-22) |
등록번호 | 10-0290874-0000 (2001-03-07) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1019930004107 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (1997-12-29) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 MOSFET에 관한 것으로 GIDL방지구종에서의 드레인-소오스간 전류(IDS) 및 스냅-백 블랙 다운전압등의 트랜지스터 특정을 향상시키기 위한 것이다. 종래에 게이트 전극 양측모서리부분의 게이트 산화막을 채널중앙부위보다 두껍게 형성하였다. 따라서 드레인-소오스간의 전류 및 스냅-백 블랙다운 전압이 저하될 우려가 있었다. 본 발명은 게이트 전극 모서리 중 드레인 영역쪽 모서리 하측의 게이트 산화막을 소오스 영역 및 채널중앙부위보다 두껍게 형성한다. 따라서 IDS 및 스냅-백 블랙다운 전압등의 트랜지스터 특성이 향상된다.
제1도전형 반도체 기판(1)과, 게이트전극(3)과, 게이트전극(3) 양측기판(1)에 형성되는 제2도전형 소오스 영역(5a) 및 드레인 영역(5b)과, 게이트전극(3)과 기판(1) 사이에 드레인 영역(5b)쪽의 게이트 전극(3) 모서리 부근이 두껍게 형성되는 게이트산화막(4)를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 모스펫(MOSFET)구조.
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