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고감도 홀소자용 InSb 박막의 제조방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC8판)
  • H01L-029/786
출원번호 10-1997-0017028 (1997-05-02)
공개번호 10-1998-0082233 (1998-12-05)
DOI http://doi.org/10.8080/1019970017028
발명자 / 주소
  • 이승호 / 서울특별시 금천구 시흥*동 *** 현대빌라 **동 ***호
출원인 / 주소
  • 주식회사 에스. 케이. 엠 / 서울 강남구 대치*동 ***
대리인 / 주소
  • 김원준; 장성구 (KIM, Won Joon)
  • 서울시 서초구 양재동 ***-* 트러스트타워**층(제일광장특허법률사무소); 서울시 서초구 양재동 ***-* 트러스트타워**층(제일광장특허법률사무소)
심사청구여부 있음 (1997-05-02)
심사진행상태 거절결정(일반)
법적상태 거절

초록

본 발명은 고감도 홀(Hall)소자용 인듐안티몬(InSb)박막의 제조방법에 관한 것으로, 연자성재질의 기판위에 반응억제층을 증착한 후 Sb 와 In 을 순차적으로 적층시키고, 그 위에 열처리 보호막을 증착시킨 다음 In/Sb 다층박막을 합금화 열처리하여 InSb 단일상을 형성시킨 후 열처리 보호막을 제거하여 제조공정을 완료한다.본 발명에 따르면, 단순한 제조공정으로 높은 전자 이동도를 갖는 InSb 박막을 얻을 수 있는 효과를 가져올 수 있다.

대표청구항

연자성재질의 기판상에 반응억제층을 증착하는 단계와; 상기 반응억제층 위에 Sb와 In을 순차적으로 증착하여 다층박막을 증착하는 단계와; 상기 다층박막 위에 열처리 보호막을 증착하는 단계와; 상기 보호막이 증착된 상기 다층박막을 합금화 열처리하여 InSb 단일상을 형성하는 단계와; 상기 합금화 열처리시 In - situ 전기저항측정 방법으로 박막의 전기저항이 급속히 감소하는 온도 및 시점에서 열처리를 종료하는 단계로 이루어진 고감도 홀소자용 InSb 박막의 제조방법.

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