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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-1988-0004665 (1988-04-23) |
공개번호 | 10-1989-0016693 (1989-11-29) |
공고번호 | 10-0096758-0000 (1995-11-24) |
등록번호 | 10-0096758-0000 (1996-03-08) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1019880004665 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (1993-04-23) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
제조된 InSb 박막을 진공 또는 Ar 분위기하에서 융점(525℃)이상인 540-560℃로 30분간 열처리함으로써 입자의 성장을 촉진하여 Hall 소자의 전기적 특성, 특히 이동성을 향상시키고 연료비 및 생산시간을 단축시키고자 하는 것이다.InSb 박막을 진공상태의 Ar 분위기하에서 그 화합물의 융점(525℃) 이상인 540-560℃의 온도범위로 30분간 유지시키는 고온 열처리방법으로서 고온열처리시 InSb 박막의 산화 및 증발 방지를 위하여 In2O3 또는 SiOxx 계열의 보호막을 입히는 단계;냉각에 의하여 액상에서 고상으로
Hal1 소자용 InSb 박막의 열처리방법에 있어서 기판위에 InSb 박막을 증착하고 그위에 In2O3나 SiOx 계열의 보호막을 씌운후 진공 또는 Ar 분위기에서 540-560℃의 온도범위에서 30분간 유지후 냉각시킴을 특징으로 하는 Hal1 소자용 InSb 박막의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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