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| 국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
|---|---|
| 국제특허분류(IPC8판) |
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| 출원번호 | 10-1997-0030106 (1997-06-30) |
| 공개번호 | 10-1999-0005888 (1999-01-25) |
| DOI | http://doi.org/10.8080/1019970030106 |
| 발명자 / 주소 |
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| 출원인 / 주소 |
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| 대리인 / 주소 |
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| 심사청구여부 | 있음 (1997-08-28) |
| 심사진행상태 | 거절결정(일반) |
| 법적상태 | 거절 |
1.청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야본 발명은 웨이퍼 세정방법에 관한 것으로 특히, 단일 세정조 타입(Single Bath Type)을 이용하는 반도체 소자의 세정방법에 관한 것이다.2.발명이 해결하려고 하는 기술적 과제 웨이퍼 세정시 세정조와 접촉되는 웨이퍼 표면에 세정용액 잔존물로 인하여 소자의 전기적 특성 및 수율이 저하됨을 방지한다.3.발명의 해결방법의 요지세정용액 잔존물이 제거되도록 세정공정 및 건조공정을 두차례 반복하여 실시한다. 4.발명의 중요한 용도반도체 소자 제조공정중 웨이퍼 세정공정에 적용된다.
웨이퍼를 황산 용액으로 상기 웨이퍼 표면을 세정하는 제 1 단계와, 순수를 이용하여 상기 웨이퍼 표면을 세정함과 동시에 초음파 세정장치를 이용하여 상기 세정조 내면 및 웨이퍼 표면의 잔존 세정액을 세정하는 제 2 단계와, 상기 세정조 내의 상기 순수를 일부분 유출한 후 건조 기체를 이용하여 상기 웨이퍼를 건조시키는 제 3 단계와, 상기 세정액 잔류물이 제거되도록 상기 웨이퍼를 고속회전 시킴과 동시에 음파가 공급되는 순수를 이용하여 웨이퍼 표면을 세정하는 제 4 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정방법.
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