초록 ▼

본 발명은 Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체 결정의 표면 평활성이 에칭 전후에서 열화되지 않고, 거울면으로 청정성이 우수하며, 에피택셜 성장 등에 적합한 Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체 결정의 표면 청정화 방법을 제공하고자 하는 것이며, 물 1에 대해서 황산을 1 내지 10의 용량비로 혼합한 수용액에, 이크롬산칼륨을 포화시켜 이루어지는 에칭액을 사용하고, 10 내지 80℃의 온도 범위에서 Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체 결정을 에칭하여, 필요에 따라 10℃ 이상, 끓는 점 이하인 온도의 물, 메탄올, 이소프로필알코올로 세정하고, 다시 디클로로메탄, 트리클로로에

본 발명은 Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체 결정의 표면 평활성이 에칭 전후에서 열화되지 않고, 거울면으로 청정성이 우수하며, 에피택셜 성장 등에 적합한 Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체 결정의 표면 청정화 방법을 제공하고자 하는 것이며, 물 1에 대해서 황산을 1 내지 10의 용량비로 혼합한 수용액에, 이크롬산칼륨을 포화시켜 이루어지는 에칭액을 사용하고, 10 내지 80℃의 온도 범위에서 Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체 결정을 에칭하여, 필요에 따라 10℃ 이상, 끓는 점 이하인 온도의 물, 메탄올, 이소프로필알코올로 세정하고, 다시 디클로로메탄, 트리클로로에틸렌, 아세톤으로 초음파 세정 또는 자비(煮沸) 세정하는 Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체 결정의 표면 청정화 방법이다.

대표청구항

물 1에 대해서 황산을 1 내지 10의 용량비로 혼합한 수용액에 이크롬산칼륨을 포화시켜 이루어지는 에칭액을 사용하여, 10 내지 80℃의 온도 범위에서 Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체 결정을 에칭하는 것을 특징으로 하는 Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체 결정의 표면 청정화 방법.

물 1에 대해서 황산을 1 내지 10의 용량비로 혼합한 수용액에 이크롬산칼륨을 포화시켜 이루어지는 에칭액을 사용하여, 10 내지 80℃의 온도 범위에서 Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체 결정을 에칭하는 것을 특징으로 하는 Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체 결정의 표면 청정화 방법.