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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-1998-0011754 (1998-04-03) |
공개번호 | 10-1998-0081057 (1998-11-25) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1019980011754 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사진행상태 | 취하(심사미청구) |
법적상태 | 취하 |
실질적으로 이방적으로, 우수한 에칭 선택성을 가지고 기판상의 텅스텐 함유 층을 에칭하고 에칭된 구조물상에 과도한 패시베이션 증착물을 형성하지 않는 방법. 상기 방법에서, 기판은 플라즈마 존에 배치되고, SF6, CHF3 및 N2을 포함하는 처리 가스는 플라즈마 존에 유입된다. 플라즈마는 텅스텐 함유층을 이방적으로 에칭하기 위하여 처리 가스로부터 형성된다. 바람직하게, 플라즈마는 소정 유도성:용량성 전력 비율에서 동작되는 결합된 유도성 및 용량성 플라즈마를 사용하여 형성된다.
기판상의 텅스텐 함유층을 이방성 에칭하는 방법에 있어서, (a) 플라즈마 존에 기판을 배치하는 단계;(b) SF6, CHF3 및 N2을 포함하는 처리 가스를 플라즈마 존에 유입하는 단계; 및(c) 기판상의 텅스텐 함유층을 에칭하기 위하여 처리 가스로부터 플라즈마를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이방성 에칭 방법.
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