[특허]텅스텐을 이방적으로 에칭하기 위한 방법

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텅스텐을 이방적으로 에칭하기 위한 방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC8판)	C23C-014/34
출원번호	10-1998-0011754 (1998-04-03)
공개번호	10-1998-0081057 (1998-11-25)
DOI	http://doi.org/10.8080/1019980011754
발명자 / 주소	시아우, 구앙-예 / 미국 *** 캘리포니아 산호세 프랭클린 코오트 * 헤르즈, 파울 / 미국 ***** 캘리포니아 써니베일 밸러리안 코오트 ＃* ** 뎅, 시안-캔 / 미국 * 캘리포니아 산타 클라라 잭슨 스트리트 마, 시아오빙 디아나 / 미국 * 캘리포니아 사라토가 킬트 코오트 ***
출원인 / 주소	어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 / 미국 *** 캘리포니아 산타 클라라 바우어스 애브뉴 **
대리인 / 주소	남상선 (NAM, Sang Sun) 서울시 중구 서소문동 *-,대한항공빌딩 *층(남앤드남국제특허법률사무소)
심사진행상태	취하(심사미청구)
법적상태	취하

초록

실질적으로 이방적으로, 우수한 에칭 선택성을 가지고 기판상의 텅스텐 함유 층을 에칭하고 에칭된 구조물상에 과도한 패시베이션 증착물을 형성하지 않는 방법. 상기 방법에서, 기판은 플라즈마 존에 배치되고, SF6, CHF3 및 N2을 포함하는 처리 가스는 플라즈마 존에 유입된다. 플라즈마는 텅스텐 함유층을 이방적으로 에칭하기 위하여 처리 가스로부터 형성된다. 바람직하게, 플라즈마는 소정 유도성:용량성 전력 비율에서 동작되는 결합된 유도성 및 용량성 플라즈마를 사용하여 형성된다.

대표청구항

기판상의 텅스텐 함유층을 이방성 에칭하는 방법에 있어서, (a) 플라즈마 존에 기판을 배치하는 단계;(b) SF6, CHF3 및 N2을 포함하는 처리 가스를 플라즈마 존에 유입하는 단계; 및(c) 기판상의 텅스텐 함유층을 에칭하기 위하여 처리 가스로부터 플라즈마를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이방성 에칭 방법.

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특허정보
IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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구성항목	기본정보 상세정보 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표IPC 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 공고번호, 공고일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표출원인, 출원인국적, 출원인주소, 발명자, 발명자E, 발명자코드, 발명자주소, 발명자 우편번호, 발명자국적, 대표IPC, IPC코드, 요약, 미국특허분류, 대리인주소, 대리인코드, 대리인(한글), 대리인(영문), 국제공개일자, 국제공개번호, 국제출원일자, 국제출원번호, 우선권, 우선권주장일, 우선권국가, 우선권출원번호, 원출원일자, 원출원번호, 지정국, Citing Patents, Cited Patents
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