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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-1998-0027003 (1998-07-04) |
공개번호 | 10-1998-0071938 (1998-10-26) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1019980027003 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2000-07-13) |
심사진행상태 | 거절결정(일반) |
법적상태 | 거절 |
본 발명은 바이페닐(biphenyl)계 에폭시 화합물에 관한 것이다. 본 발명은 특히 고순도 테트라메틸 바이페닐 에폭시 화합물의 제조 방법에 관한 것으로, 반도체 봉지제 및 전자용 소재로 사용 가능한 고순도 에폭시 화합물로서 가수분해성 염소함량이 400 ppm 미만이고 에폭시 당량이 195 이하인 고순도 테트라메틸 바이페닐 에폭시 화합물의 제조법에 관한 것이다.
3,3',5,5'-테트라메틸-4,4'-바이페놀 100 중량부와 에피클로로히드린 380∼770 중량부에 염기성 화합물 1.01∼1.05 몰 첨가하여 3,3',5,5'-테트라메틸-4,4'-바이페닐 에폭시 화합물을 제조하는 것을 특징으로 하는 바이페닐계 에폭시 제조 방법.
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