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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-1998-0054265 (1998-12-10) |
공개번호 | 10-1999-0062971 (1999-07-26) |
등록번호 | 10-0279306-0000 (2000-10-30) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1019980054265 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (1998-12-10) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
내부가 배기될 수 있는 리액터, 상기 리액터 내에 제공된 기판 파지 수단, 플라즈마 CVD용 재료 개스를 상기 리액터에 공급하기 위한 재료 개스 공급 수단, 30㎒ 내지 600㎒의 범위 내의 발진 주파수를 가지며 고주파 전원에 의해서 발생된 고주파 전력을 플라즈마 생성 고주파 전극으로 공급하기 위한 고주파 전력 공급 수단, 및 반응 후에 상기 리액터에 남아있는 개스를 배기시키기 위한 배기 수단을 포함하며, 상기 고주파 전원에서 발생된 상기 고주파 전력은 상기 플라즈마 생성 고주파 전극으로 공급되어 상기 기판 파지 수단에 의해서 파지
내부가 배기될 수 있는 리액터, 상기 리액터 내에 제공된 기판 파지 수단, 플라즈마 CVD용 재료 개스를 상기 리액터로 공급하기 위한 재료 개스 공급 수단, 30㎒ 내지 600㎒의 범위 내의 발진 주파수를 가지며 고주파 전원에 의해서 발생된 고주파 전력을 플라즈마 생성 고주파 전극으로 공급하기 위한 고주파 전력 공급 수단, 및 반응 후에 상기 리액터에 남아있는 개스를 배기시키기 위한 배기 수단을 포함하며, 상기 고주파 전원에서 발생된 상기 고주파 전력이 상기 플라즈마 생성 고주파 전극으로 공급되어 상기 기판 파지 수단에 의해서 파지
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