초록 ▼

내부가 배기될 수 있는 리액터, 상기 리액터 내에 제공된 기판 파지 수단, 플라즈마 CVD용 재료 개스를 상기 리액터에 공급하기 위한 재료 개스 공급 수단, 30㎒ 내지 600㎒의 범위 내의 발진 주파수를 가지며 고주파 전원에 의해서 발생된 고주파 전력을 플라즈마 생성 고주파 전극으로 공급하기 위한 고주파 전력 공급 수단, 및 반응 후에 상기 리액터에 남아있는 개스를 배기시키기 위한 배기 수단을 포함하며, 상기 고주파 전원에서 발생된 상기 고주파 전력은 상기 플라즈마 생성 고주파 전극으로 공급되어 상기 기판 파지 수단에 의해서 파지

내부가 배기될 수 있는 리액터, 상기 리액터 내에 제공된 기판 파지 수단, 플라즈마 CVD용 재료 개스를 상기 리액터에 공급하기 위한 재료 개스 공급 수단, 30㎒ 내지 600㎒의 범위 내의 발진 주파수를 가지며 고주파 전원에 의해서 발생된 고주파 전력을 플라즈마 생성 고주파 전극으로 공급하기 위한 고주파 전력 공급 수단, 및 반응 후에 상기 리액터에 남아있는 개스를 배기시키기 위한 배기 수단을 포함하며, 상기 고주파 전원에서 발생된 상기 고주파 전력은 상기 플라즈마 생성 고주파 전극으로 공급되어 상기 기판 파지 수단에 의해서 파지된 기판과 플라즈마 생성 고주파 전극을 가로질러 플라즈마를 발생시켜서 상기 기판 상에 증착 막을 형성하도록 한 플라즈마 CVD 시스템에 있어서, 반사 전력의 위상이 상기 플라즈마 생성 고주파 전극 상의 대향측의 일부에서 조정된다.매우 균일한 막 두께 및 동일한 막 품질을 가진 고 품질의 증착 막들은 임의의 형태를 가진 대면적 기판 상에 고속으로 안정되게 형성되어 우수한 효율로 반도체 장치를 얻는다.

대표청구항 ▼

내부가 배기될 수 있는 리액터, 상기 리액터 내에 제공된 기판 파지 수단, 플라즈마 CVD용 재료 개스를 상기 리액터로 공급하기 위한 재료 개스 공급 수단, 30㎒ 내지 600㎒의 범위 내의 발진 주파수를 가지며 고주파 전원에 의해서 발생된 고주파 전력을 플라즈마 생성 고주파 전극으로 공급하기 위한 고주파 전력 공급 수단, 및 반응 후에 상기 리액터에 남아있는 개스를 배기시키기 위한 배기 수단을 포함하며, 상기 고주파 전원에서 발생된 상기 고주파 전력이 상기 플라즈마 생성 고주파 전극으로 공급되어 상기 기판 파지 수단에 의해서 파지

내부가 배기될 수 있는 리액터, 상기 리액터 내에 제공된 기판 파지 수단, 플라즈마 CVD용 재료 개스를 상기 리액터로 공급하기 위한 재료 개스 공급 수단, 30㎒ 내지 600㎒의 범위 내의 발진 주파수를 가지며 고주파 전원에 의해서 발생된 고주파 전력을 플라즈마 생성 고주파 전극으로 공급하기 위한 고주파 전력 공급 수단, 및 반응 후에 상기 리액터에 남아있는 개스를 배기시키기 위한 배기 수단을 포함하며, 상기 고주파 전원에서 발생된 상기 고주파 전력이 상기 플라즈마 생성 고주파 전극으로 공급되어 상기 기판 파지 수단에 의해서 파지된 기판과 플라즈마 생성 고주파 전극을 가로질러 플라즈마를 발생시켜 상기 기판 상에 증착 막을 형성하도록 한 플라즈마 CVD 시스템에 있어서,반사 전력의 위상을 조정하는 위상 조정 회로가, 상기 고주파 전력이 상기 플라즈마 생성 고주파 전극으로 공급되는 공급 지점의 대향측의 상기 플라즈마 생성 고주파 전극의 단부에서 플라즈마 생성 고주파 전극에 접속되는 플라즈마 CVD 시스템.