[특허]반도체 소자의 제조 방법

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IPC분류정보
국가/구분	한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC8판)	H01L-021/82
출원번호	10-1998-0062749 (1998-12-31)
공개번호	10-2000-0046073 (2000-07-25)
DOI	http://doi.org/10.8080/1019980062749
발명자 / 주소	김용남 / 서울특별시 광진구 중곡동 - 박재영 / 서울특별시 동작구 상도동 - 이덕민 / 서울특별시 양천구 목동 번지 현대아파트-***
출원인 / 주소	주식회사 하이닉스반도체 / 경기 이천시 부발읍 아미리 산**-
대리인 / 주소	최승민; 신영무 (CHOI, Sung Min) 서울 중구 순화동 -** 에이스타워 층; 서울 중구 순화동 -*** 에이스타워 *층
심사진행상태	취하(심사미청구)
법적상태	취하

초록 ▼

1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야본 발명은 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것이다2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제본 발명은 소오스/드레인 하부에 딥 산화막을 형성하고, 접합부까지 콘택홀을 형성하여 펀치쓰루우 등을 방지하므로서 소자의 신뢰성을 향상시키고자 한다.3. 발명의 해결 방법의 요지본 발명은 반도체 기판에 필드 산화막을 형성하여 액티브 영역을 정의하는 단계와; 상기 액티브 영역에 제 1 및 제 2 산소 이온 주입 영역을 순차적으로 형성하는 단계와; 상기 기판에 질소 어닐링을 수행하여 상기 액티브 영역에 딥 산화막을 형성하는 단계와; 상기 딥 산화막이 형성된 전체 구조상에 게이트 산화막, 게이트 전극용 폴리실리콘층 및 텅스텐 실리사이드층으로 이루어진 폴리사이드 게이트 전극을 형성하는 단계와; 상기 게이트 전극 하부의 양측부에 소오스/드레인 영역을 형성하는 단계와; 상기 게이트 전극을 포함하는 전체 구조상에 층간 절연막을 형성한 후, 화학적 기계적 평탄화 공정을 실시하는 단계와; 상기 층간 절연막에 콘택홀을 형성한 후, 금속 배선 형성 공정을 통해 상기 게이트 전극과 상기 소오스/드레인 영역이 전기적으로 연결되는 금속 배선을 형성하는 단계로 이루어진다.

대표청구항 ▼

반도체 기판에 필드 산화막을 형성하여 액티브 영역을 정의하는 단계와;상기 액티브 영역에 제 1 및 제 2 산소 이온 주입 영역을 순차적으로 형성하는 단계와;상기 기판에 질소 어닐링을 수행하여 상기 액티브 영역에 딥 산화막을 형성하는 단계와;상기 딥 산화막이 형성된 전체 구조상에 게이트 산화막, 게이트 전극용 폴리실리콘층 및 텅스텐 실리사이드층으로 이루어진 폴리사이드 게이트 전극을 형성하는 단계와;상기 게이트 전극 하부의 양측부에 소오스/드레인 영역을 형성하는 단계와;상기 게이트 전극을 포함하는 전체 구조상에 층간 절연막을 형성한 후, 화학적 기계적 평탄화 공정을 실시하는 단계와;상기 층간 절연막에 콘택홀을 형성한 후, 금속 배선 형성 공정을 통해 상기 게이트 전극과 상기 소오스/드레인 영역이 전기적으로 연결되는 금속 배선을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법.

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IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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