[특허]반도체 소자의 제조 방법

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IPC분류정보
국가/구분	한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC8판)	H01L-021/336
출원번호	10-1998-0062750 (1998-12-31)
공개번호	10-2000-0046074 (2000-07-25)
DOI	http://doi.org/10.8080/1019980062750
발명자 / 주소	조완희 / 경기도 이천시 대월면 사동리 **- 현대전자아파트 *-**
출원인 / 주소	주식회사 하이닉스반도체 / 경기 이천시 부발읍 아미리 산**-
대리인 / 주소	최승민; 신영무 (CHOI, Sung Min) 서울 중구 순화동 -** 에이스타워 층; 서울 중구 순화동 -*** 에이스타워 *층
심사진행상태	취하(심사미청구)
법적상태	취하

초록 ▼

1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야본 발명은 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것이다2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제본 발명은 액티브 콘택을 필드 산화막상에 형성하여 액티브의 면적을 최소화시키므로서 소자의 사이즈를 줄이고자 한다.3. 발명의 해결 방법의 요지본 발명은 반도체 기판에 필드 산화막을 형성하여 액티브 영역을 정의하는 단계와; 상기 필드 산화막 가장자리의 일부를 포함하여 상기 액티브 영역의 일부에 비정질 실리콘층을 각각 형성하는 단계와; 상기 비정질 실리콘층 사이의 액티브 영역 및 필드 산화막 상에 각각의 게이트 전극을 형성하는 단계와; 상기 액티브 영역의 게이트 전극 하부의 기판에 소오스/드레인 접합부를 형성하는 단계와; 상기 비정질 실리콘층 및 게이트 전극상에 티타늄을 증착한 후, 열처리를 실시하여 실리사이드를 형성하는 단계와; 상기 전체 구조상에 층간 절연막을 형성한 후 액티브 영역상의 게이트 전극 일측부의 접합부에 전기적으로 연결되는 제 1 금속 배선과, 액티브 영역상의 게이트 전극 다른측의 접합부가 필드 산화막상의 게이트 전극과 전기적으로 연결되는 제 2 금속 배선을 형성하는 단계로 이루어진다.

대표청구항 ▼

반도체 기판에 필드 산화막을 형성하여 액티브 영역을 정의하는 단계와;상기 필드 산화막 가장자리의 일부를 포함하여 상기 액티브 영역의 일부에 비정질 실리콘층을 각각 형성하는 단계와;상기 비정질 실리콘층 사이의 액티브 영역 및 필드 산화막 상에 각각의 게이트 전극을 형성하는 단계와;상기 각각의 게이트 전극 양측부에 스페이서를 형성하는 단계와;상기 액티브 영역의 게이트 전극 하부의 기판에 소오스/드레인 접합부를 형성하는 단계와;상기 비정질 실리콘층 및 게이트 전극상에 티타늄을 증착한 후, 열처리를 실시하여 실리사이드를 형성하는 단계와;상기 전체 구조상에 층간 절연막을 형성한 후 액티브 영역상의 게이트 전극 일측부의 접합부에 전기적으로 연결되는 제 1 금속 배선과, 액티브 영역상의 게이트 전극 다른측의 접합부가 필드 산화막상의 게이트 전극과 전기적으로 연결되는 제 2 금속 배선을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법.

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IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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구성항목	기본정보 상세정보 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표IPC 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 공고번호, 공고일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표출원인, 출원인국적, 출원인주소, 발명자, 발명자E, 발명자코드, 발명자주소, 발명자 우편번호, 발명자국적, 대표IPC, IPC코드, 요약, 미국특허분류, 대리인주소, 대리인코드, 대리인(한글), 대리인(영문), 국제공개일자, 국제공개번호, 국제출원일자, 국제출원번호, 우선권, 우선권주장일, 우선권국가, 우선권출원번호, 원출원일자, 원출원번호, 지정국, Citing Patents, Cited Patents
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