초록 ▼

본 발명은 반도체 소자의 구리 금속 배선 형성 방법에 관한 것으로, 구리 금속 배선 형성 공정중 화학 기계적 폴리싱 공정 후에 잔존하는 파티클과 금속 이온을 제거하기 위한 세정(cleaning) 공정이 실시되는데, 본 발명에서는 세정 공정을 브러시 스크러빙(brush scrubbing)에 적용할 때, 먼저 제 1 브러시 스테이션(brush station)에서, 화학제 사용에 따른 급속한 표면 손상(attack)을 방지하기 위해 이온이 제거된 순수(DIW)를 흘려 1차 헹굼(rinse) 과정을 거치고, 희석된 HF와 BTA 혼합 용액

본 발명은 반도체 소자의 구리 금속 배선 형성 방법에 관한 것으로, 구리 금속 배선 형성 공정중 화학 기계적 폴리싱 공정 후에 잔존하는 파티클과 금속 이온을 제거하기 위한 세정(cleaning) 공정이 실시되는데, 본 발명에서는 세정 공정을 브러시 스크러빙(brush scrubbing)에 적용할 때, 먼저 제 1 브러시 스테이션(brush station)에서, 화학제 사용에 따른 급속한 표면 손상(attack)을 방지하기 위해 이온이 제거된 순수(DIW)를 흘려 1차 헹굼(rinse) 과정을 거치고, 희석된 HF와 BTA 혼합 용액을 흘려 세정 과정을 거치며, HF와 BTA를 제거하기 위해 다시 이온이 제거된 순수를 흘려 2차 헹굼 과정을 거쳐 화학 기계적 폴리싱 공정 후에 잔존하는 파티클과 금속 이온을 제거하고, 제 2 브러시 스테이션에서, 제 1 브러시 스테이션으로부터 넘어온 웨이퍼에 존재할 지 모르는 HF와 BTA를 제거하기 위해 이온이 제거된 순수를 흘려 1차 헹굼 과정을 거치고, 희석된 초산(CH3COOH)을 흘려 세정 과정을 거치며, 초산을 제거하기 위해 다시 이온이 제거된 순수를 흘려 2차 헹굼 과정을 거쳐 절연막 위에 잔존하는 금속 이온을 제거하고, 이후 건조 장비(SRD)에서 자외선(UV) 및 이온이 제거된 순수를 사용하여 웨이퍼를 건조시켜 세정 공정을 완료하므로써, 구리층에 손상을 주지 않으면서 파티클과 금속 이온을 효과적으로 제거할 수 있는 반도체 소자의 구리 금속 배선 형성 방법에 관하여 기술된다.

대표청구항

반도체 기판 상에 형성된 층간 절연막의 다마신 패턴을 구리층으로 매립한 후, 화학 기계적 폴리싱 공정으로 상기 구리층이 연마된 웨이퍼가 제공되는 단계;상기 웨이퍼에 희석된 HF와 BTA 혼합 용액을 흘려 1차 세정하는 단계;상기 웨이퍼에 희석된 초산을 흘려 2차 세정하는 단계; 및상기 웨이퍼를 건조시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 구리 금속 배선 형성 방법.

반도체 기판 상에 형성된 층간 절연막의 다마신 패턴을 구리층으로 매립한 후, 화학 기계적 폴리싱 공정으로 상기 구리층이 연마된 웨이퍼가 제공되는 단계;상기 웨이퍼에 희석된 HF와 BTA 혼합 용액을 흘려 1차 세정하는 단계;상기 웨이퍼에 희석된 초산을 흘려 2차 세정하는 단계; 및상기 웨이퍼를 건조시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 구리 금속 배선 형성 방법.