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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-1998-0062751 (1998-12-31) |
공개번호 | 10-2000-0046075 (2000-07-25) |
등록번호 | 10-0558043-0000 (2006-02-27) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1019980062751 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2003-10-07) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 반도체 소자의 구리 금속 배선 형성 방법에 관한 것으로, 구리 금속 배선 형성 공정중 화학 기계적 폴리싱 공정 후에 잔존하는 파티클과 금속 이온을 제거하기 위한 세정(cleaning) 공정이 실시되는데, 본 발명에서는 세정 공정을 브러시 스크러빙(brush scrubbing)에 적용할 때, 먼저 제 1 브러시 스테이션(brush station)에서, 화학제 사용에 따른 급속한 표면 손상(attack)을 방지하기 위해 이온이 제거된 순수(DIW)를 흘려 1차 헹굼(rinse) 과정을 거치고, 희석된 HF와 BTA 혼합 용액
반도체 기판 상에 형성된 층간 절연막의 다마신 패턴을 구리층으로 매립한 후, 화학 기계적 폴리싱 공정으로 상기 구리층이 연마된 웨이퍼가 제공되는 단계;상기 웨이퍼에 희석된 HF와 BTA 혼합 용액을 흘려 1차 세정하는 단계;상기 웨이퍼에 희석된 초산을 흘려 2차 세정하는 단계; 및상기 웨이퍼를 건조시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 구리 금속 배선 형성 방법.
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