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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-1998-0705853 (1998-07-28) |
공개번호 | 10-1999-0082131 (1999-11-15) |
국제출원번호 | PCT/JP1997/004608 (1997-12-15) |
국제공개번호 | WO1998027579 (1998-06-25) |
번역문제출일자 | 1998-07-28 |
DOI | http://doi.org/10.8080/1019980705853 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2002-12-09) |
심사진행상태 | 거절결정(일반) |
법적상태 | 거절 |
본 발명은 레지스트패턴에 부여하는 영향을 억제하고 또한 절연막을 고속으로 에칭가능한 에칭처리제를 제공하는 것을 목적으로 한다.레지스트를 마스크로서 기판상에 형성된 절연막을 에칭처리하기 위한 에칭제로서 불산을 8~19중량% 불화암모늄을 12~42중량% 포함하고 수소 이온농도가 10-6.0~10-0.8mol/L 인 것을 특징으로 한다. 또한 레지스트를 마스크로서 기판상에 형성된 실리콘 산화막을 에칭처리하기 위한 에칭제로서 상기 실리콘 산화막의 에칭속도가 200nm/분이상이고 또한 상기 레지스트의 막 감소량이 50nm/분 이하인 것을
레지스트를 마스크로서 기판상에 형성된 절연막을 에칭처리 하기 위한 에칭제로서 불산 8~19중량%와 불화 암모늄을 12~42중량%를 함유하고 수소이온 농도가 10-6.0~10-1.8mol/L인 것을 특징으로 하는 에칭처리제.제 1항에 있어서, 상기 불산 농도가 15중량% 이상인 것을 특징으로 하는 에칭제.레지스트를 마스크로서 기판상에 형성된 실리콘 산화막을 에칭처리하기 위한 에칭제로서 상기 실리콘 산화막의 에칭 속도가 200nm/분 이상이고 또 상기 레지스트의 막감소량이 50nm/분 이하인 것을 특징으로 하는 에칭제.제 1항에서 제
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