초록 ▼

본 발명은 레지스트패턴에 부여하는 영향을 억제하고 또한 절연막을 고속으로 에칭가능한 에칭처리제를 제공하는 것을 목적으로 한다.레지스트를 마스크로서 기판상에 형성된 절연막을 에칭처리하기 위한 에칭제로서 불산을 8~19중량% 불화암모늄을 12~42중량% 포함하고 수소 이온농도가 10-6.0~10-0.8mol/L 인 것을 특징으로 한다. 또한 레지스트를 마스크로서 기판상에 형성된 실리콘 산화막을 에칭처리하기 위한 에칭제로서 상기 실리콘 산화막의 에칭속도가 200nm/분이상이고 또한 상기 레지스트의 막 감소량이 50nm/분 이하인 것을

본 발명은 레지스트패턴에 부여하는 영향을 억제하고 또한 절연막을 고속으로 에칭가능한 에칭처리제를 제공하는 것을 목적으로 한다.레지스트를 마스크로서 기판상에 형성된 절연막을 에칭처리하기 위한 에칭제로서 불산을 8~19중량% 불화암모늄을 12~42중량% 포함하고 수소 이온농도가 10-6.0~10-0.8mol/L 인 것을 특징으로 한다. 또한 레지스트를 마스크로서 기판상에 형성된 실리콘 산화막을 에칭처리하기 위한 에칭제로서 상기 실리콘 산화막의 에칭속도가 200nm/분이상이고 또한 상기 레지스트의 막 감소량이 50nm/분 이하인 것을 특징으로 한다.

대표청구항 ▼

레지스트를 마스크로서 기판상에 형성된 절연막을 에칭처리 하기 위한 에칭제로서 불산 8~19중량%와 불화 암모늄을 12~42중량%를 함유하고 수소이온 농도가 10-6.0~10-1.8mol/L인 것을 특징으로 하는 에칭처리제.제 1항에 있어서, 상기 불산 농도가 15중량% 이상인 것을 특징으로 하는 에칭제.레지스트를 마스크로서 기판상에 형성된 실리콘 산화막을 에칭처리하기 위한 에칭제로서 상기 실리콘 산화막의 에칭 속도가 200nm/분 이상이고 또 상기 레지스트의 막감소량이 50nm/분 이하인 것을 특징으로 하는 에칭제.제 1항에서 제

레지스트를 마스크로서 기판상에 형성된 절연막을 에칭처리 하기 위한 에칭제로서 불산 8~19중량%와 불화 암모늄을 12~42중량%를 함유하고 수소이온 농도가 10-6.0~10-1.8mol/L인 것을 특징으로 하는 에칭처리제.제 1항에 있어서, 상기 불산 농도가 15중량% 이상인 것을 특징으로 하는 에칭제.레지스트를 마스크로서 기판상에 형성된 실리콘 산화막을 에칭처리하기 위한 에칭제로서 상기 실리콘 산화막의 에칭 속도가 200nm/분 이상이고 또 상기 레지스트의 막감소량이 50nm/분 이하인 것을 특징으로 하는 에칭제.제 1항에서 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 계면활성제를 0.001~1중량% 포함하는 것을 특징으로하는 에칭제.