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| 국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
|---|---|
| 국제특허분류(IPC8판) |
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| 출원번호 | 10-1999-0010281 (1999-03-25) |
| 공개번호 | 10-2000-0061324 (2000-10-16) |
| DOI | http://doi.org/10.8080/1019990010281 |
| 발명자 / 주소 |
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| 출원인 / 주소 |
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| 대리인 / 주소 |
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| 심사청구여부 | 있음 (1999-03-25) |
| 심사진행상태 | 거절결정(일반) |
| 법적상태 | 거절 |
본 발명은 웨이퍼 제전 방법에 관한 것으로, 종래의 방법에 있어서는 식각 공정 후 제전(除電)시 ,,, 가스등을 사용해서 제전을 할 경우 감광제의 부산물을 웨이퍼 전면으로 부착시켜서 감광제 제거시 시간이 길어져 생산력이 저하 되는 문제점이 있었다. 따라서, 본 발명은 식각 공정시 웨이퍼에 남아있는 잔류전하를 O2가스를 이용해 제거함과 동시에 감광제를 함께 제거할 수 있게 되어 감광제 처리 공정의 한 과정을 줄일 수 있게 되어 웨이퍼 처리시간이 단축되어 생산성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
웨이퍼가 식각 처리실에 유입되면 전극이 정전기력에 의해 웨이퍼를 밀착시키는 단계와; 상기 단계에 의해 웨이퍼가 밀착되면 식각 공정을 수행하는 단계와; 상기 단계에서 식각 공정이 완료되면 O2가스를 제전용 기체로 사용하여 잔류전하 및 감광제를 제거하는 단계와; 웨이퍼를 전극과 분리하여 다음 공정 처리실로 이동하여 식각 공정을 완료하도록 이루어진 것을 특징으로 하는 웨이퍼 제전 방법.
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