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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0853968 (2007-09-12) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 5 인용 특허 : 1 |
A method of dechucking a wafer, with a low-k dielectric layer, held onto an electrostatic chuck by an electrostatic charge in a plasma chamber is provided. The electrostatic clamping voltage is removed. An essentially argon free dechucking gas is provided into the plasma chamber. A dechucking plasma
What is claimed is: 1. A method of dechucking a wafer held onto an electrostatic chuck, incorporated in a lower electrode, by an electrostatic charge comprising:removing the electrostatic clamping voltage;providing an essentially argon free dechucking gas;forming a dechucking plasma from the dechuck
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