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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-1999-0026491 (1999-07-02) |
공개번호 | 10-2001-0008574 (2001-02-05) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1019990026491 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사진행상태 | 취하(심사미청구) |
법적상태 | 취하 |
본 발명은 감광막을 제거하는 방법에 관한 것으로서, 감광막과 웨이퍼에 고착되면서 접착된 웨이퍼 상에 패터닝을 하기 위한 하부층을 적층하는 단게와; 상기 하부층 상에 감광막을 적층하여 패터닝한 후 패터닝부위를 마스크로 하여 하부층을 식각하거나, 이온을 주입하는 단계와; 상기 단계 후에 잔류된 감광막을 제거하는 단계를 포함하는 반도체 공정에서, 상기 감광막을 제거하는 단계는 순수와 오존 및 불산계 용액이 혼합된 용액에 웨이퍼를 일정 시간 담그어서 진행하는 것으로서, 감광막과 폴리머를 동시에 효과적으로 제거하도록 하는 매우 유용하고 효과
웨이퍼 상에 패터닝을 하기 위한 하부층을 적층하는 단게와; 상기 하부층 상에 감광막을 적층하여 패터닝한 후 패터닝부위를 마스크로하여 하부층을 식각하거나, 이온을 주입하는 단계와; 상기 단계 후에 잔류된 감광막을 제거하는 단계를 포함하는 반도체 공정에 있어서,상기 감광막을 제거하는 단계는 순수와 오존 및 불산계 용액이 혼합된 용액에 웨이퍼를 일정 시간 담그어서 진행하는 것을 특징으로 하는 감광막 제거방법.
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