초록 ▼

본 발명은 반도체 마스크의 테스트 패턴에 관한 것으로, 종래 반도체 마스크의 테스트 패턴은 동일한 크기의 위상반전패턴과 비위상이동패턴을 사용하여 렌즈의 필드 곡률을 측정함으로써, 측정시간이 지연되고 그 필드 곡률에 대한 정량적인 분석이 용이하지 않은 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 각각 크기가 다른 복수의 비위상이동패턴과; 상기 비위상이동패턴의 일부와 동일한 형태이며 각각 크기가 다른 복수의 위상반전패턴과; 상기 비위상이동패턴의 다른 부분과 동일한 형태이며 각각 크기가 다른 복수의 위상이동패턴을 포함하여 그

본 발명은 반도체 마스크의 테스트 패턴에 관한 것으로, 종래 반도체 마스크의 테스트 패턴은 동일한 크기의 위상반전패턴과 비위상이동패턴을 사용하여 렌즈의 필드 곡률을 측정함으로써, 측정시간이 지연되고 그 필드 곡률에 대한 정량적인 분석이 용이하지 않은 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 각각 크기가 다른 복수의 비위상이동패턴과; 상기 비위상이동패턴의 일부와 동일한 형태이며 각각 크기가 다른 복수의 위상반전패턴과; 상기 비위상이동패턴의 다른 부분과 동일한 형태이며 각각 크기가 다른 복수의 위상이동패턴을 포함하여 그 위상반전 패턴과 위상이동패턴을 기준으로 비위상이동패턴의 크리티컬 디멘젼의 차를 구하여 차를 구하여 렌즈의 필드 곡률을 얻음으로써, 필드 곡률 성분에 대한 정량적인 분석이 용이하며, 그 시간을 단축하는 효과가 있다.

대표청구항

각각 크기가 다른 복수의 비위상이동패턴과; 상기 비위상이동패턴의 일부와 동일한 형태이며 각각 크기가 다른 복수의 위상반전패턴과; 상기 비위상이동패턴의 다른 부분과 동일한 형태이며 각각 크기가 다른 복수의 위상이동패턴을 포함하여 된 것을 특징으로 하는 반도체 마스크의 테스트 패턴.

각각 크기가 다른 복수의 비위상이동패턴과; 상기 비위상이동패턴의 일부와 동일한 형태이며 각각 크기가 다른 복수의 위상반전패턴과; 상기 비위상이동패턴의 다른 부분과 동일한 형태이며 각각 크기가 다른 복수의 위상이동패턴을 포함하여 된 것을 특징으로 하는 반도체 마스크의 테스트 패턴.