초록 ▼

본 발명은 RTP 챔버의 자기 부상 회전자 시스템을 위한 설비에 관한 것이다.상기 시스템은 자기 투과 회전자, 동심원으로 회전자를 둘러싼 원통형의 얇은 벽 및 원통형의 얇은 벽에 인접한 자기 고정자 어셈블리를 포함한다. 회전자와 자기고정자 어셈블리 사이의 방사 방향 간격은, 고정자 어셈블리에 의해 형성된 자기장이 회전자를 자기 부상시킬 만큼 작지만, 회전자가 열팽창하는 얇은 벽과 물리적인 콘택을 하지 않을 만큼은 크다. 상기 시스템은, 분해시 순환 프레임의 위치를 결정하는 복수 센서의 상대적 위치가 유지되는 시스템이다. 회전

본 발명은 RTP 챔버의 자기 부상 회전자 시스템을 위한 설비에 관한 것이다.상기 시스템은 자기 투과 회전자, 동심원으로 회전자를 둘러싼 원통형의 얇은 벽 및 원통형의 얇은 벽에 인접한 자기 고정자 어셈블리를 포함한다. 회전자와 자기고정자 어셈블리 사이의 방사 방향 간격은, 고정자 어셈블리에 의해 형성된 자기장이 회전자를 자기 부상시킬 만큼 작지만, 회전자가 열팽창하는 얇은 벽과 물리적인 콘택을 하지 않을 만큼은 크다. 상기 시스템은, 분해시 순환 프레임의 위치를 결정하는 복수 센서의 상대적 위치가 유지되는 시스템이다. 회전자를 포함하는 영역의 열절연은 RTP 챔버의 공정 영역에 있는 반응 가스에 의해 이루어진다. 회전자는 챔버 내에 형성된 다수의 냉각 챔버에 의해 냉각된다.

대표청구항 ▼

자기 부양 회전 장치로서,자기적으로 투과성이 있는 회전자와, 상기 회전자와 동심이고 상기 회전자를 둘러싸는 원통형 얇은 벽과, 그리고상기 원통형 얇은 벽에 인접하여 있는 자기 고정자 어셈블리를 포함하고,상기 회전자와 상기 고정자 어셈블리 사이의 반경 거리는 상기 고정자 어셈블리에 의해 만들어진 자기장이 상기 회전자를 자기적으로 부양시킬 수 있는 정도로 충분히 작으나 열 팽창시에 회전자가 상기 얇은 벽과 접촉하지 않을 정도로 충분히 큰 자기 부양 회전 장치.제 1항에 있어서, 상기 회전자와 상기 고정자 어셈블리 사이의 반경 거리가 약

자기 부양 회전 장치로서,자기적으로 투과성이 있는 회전자와, 상기 회전자와 동심이고 상기 회전자를 둘러싸는 원통형 얇은 벽과, 그리고상기 원통형 얇은 벽에 인접하여 있는 자기 고정자 어셈블리를 포함하고,상기 회전자와 상기 고정자 어셈블리 사이의 반경 거리는 상기 고정자 어셈블리에 의해 만들어진 자기장이 상기 회전자를 자기적으로 부양시킬 수 있는 정도로 충분히 작으나 열 팽창시에 회전자가 상기 얇은 벽과 접촉하지 않을 정도로 충분히 큰 자기 부양 회전 장치.제 1항에 있어서, 상기 회전자와 상기 고정자 어셈블리 사이의 반경 거리가 약 0.04 인치 내지 약 0.06 인치 사이인 자기 부양 회전 장치.제 1항에 있어서, 상기 원통형 얇은 벽의 두께가 약 50 내지 150 밀(mil) 사이인 자기 부양 회전 장치.제 1항에 있어서, 상기 원통형 얇은 벽이 반도체 프로세싱 챔버의 벽인 자기부양 회전 장치.프로세싱 챔버 내의 회전 프레임의 위치를 결정하는 다수개의 센서들의 상대적 위치를 유지하는 장치로서,상기 프로세싱 챔버의 베이스에 제거 가능하게 설치되는 중앙 어셈블리와,상기 중앙 어셈블리에 설치되는 어셈블리 접합부(assembly abutment)와,상기 중앙 어셈블리에 대한 상기 회전 프레임의 수직 및 수평적 위치를 결정하는 다수개의 센서와, 그리고상기 프로세싱 챔버의 벽 상에 형성되는 공동 접합부(cavity abutment)를 포함하고,상기 공동 접합부 및 상기 어셈블리 접합부는 상기 공동 접합부가 상기 어셈블리 접합부에 제거 가능하게 설치되도록 구성되고 배열되며, 그리고상기 다수개의 센서는 상기 회전 프레임 및 상기 중앙 어셈블리가 상기 센서들의 상대적인 위치를 변경시키지 않고서 상기 프로세싱 챔버로부터 제거될 수 있도록 상기 중앙 어셈블리에 설치되는 센서들의 상대적 위치를 유지하는 장치.프로세싱 챔버 내의 회전 프레임의 위치를 결정하는 다수개의 센서들의 상대적 위치를 유지하는 장치로서,상기 프로세싱 챔버의 베이스에 제거 가능하게 설치되는 중앙 어셈블리와,상기 베이스에 상기 중앙 어셈블리를 제거 가능하게 설치하기 위한 수단과, 그리고상기 중앙 어셈블리에 대한 상기 회전 프레임의 수직 및 수평적 위치를 감지하기 위하여 상기 중앙 어셈블리에 설치되는 다수개의 센서를 포함하고,상기 센서들은 상기 회전 프레임 및 상기 중앙 어셈블리가 상기 센서들의 상대적인 위치를 변경시키지 않고서 상기 프로세싱 챔버로부터 제거될 수 있도록 구성되고 배열되는 센서들의 상대적 위치를 유지하는 장치.제 6항에 있어서, 상기 제거 가능하게 설치하기 위한 수단은 다수개의 볼트인 센서들의 상대적 위치를 유지하는 장치.제 6항에 있어서, 상기 제거 가능하게 설치하기 위한 수단은 적어도 하나의 클램프인 센서들의 상대적 위치를 유지하는 장치.기판 프로세싱 챔버 내의 프로세싱 영역으로부터 회전 프레임을 대체로 열적으로 격리시키는 장치로서,상기 회전 프레임에 회전 가능하게 연결되는 것으로서, 낮은 열 전도성을 가지고 상기 프로세싱 영역으로부터의 열이 상기 회전 프레임 근처에서는 대체로 감쇠될 수 있을 정도로 충분하게 긴 지지 실린더와, 그리고 상기 회전 프레임에 연결된 상기 지지 실린더 반대편의 단부에 연결되고, 기판을 지지하기 위하여 구성되고 배열되는 에지링을 포함하는 회전 프레임을 열적으로 격리시키는 장치.제 9항에 있어서, 상기 지지 실린더는 수정으로 만들어지는 회전 프레임을 열적으로 격리시키는 장치.제 9항에 있어서, 상기 지지 실린더는 약 2.2 내지 2.9 인치의 길이를 가지는 회전 프레임을 열적으로 격리시키는 장치.제 9항에 있어서, 상기 프로세싱 영역으로부터의 빛이 상기 회전 프레임 근처에서 대체로 감쇠되도록 상기 지지 실린더에 높은 불투명도를 제공하는 상기 지지 실린더 상의 실리콘 코팅을 더 포함하는 회전 프레임을 열적으로 격리시키는 장치.제 9항에 있어서, 상기 프로세싱 챔버의 베이스에 설치되는 중앙 어셈블리를 더 포함하고, 상기 프로세싱 영역으로부터의 빛이 상기 중앙 어셈블리 및 상기 회전 프레임에 의해 형성되는 공간에서 대체로 감쇠되도록, 상기 중앙 어셈블리가 상기 회전 프레임 및 상기 지지 실린더에 의해 형성되는 영역 내부에 부분적으로 배치되는 회전 프레임을 열적으로 격리시키는 장치.제 12항에 있어서, 상기 지지 실린더가 약 0.8 내지 1.1 미크론(micron)의 파장 범위에서 불투명한 회전 프레임을 열적으로 격리시키는 장치.제 9항에 있어서, 상기 회전 프레임 근처의 열을 더욱 감쇠시키기 위하여 상기 지지 실린더 주위에 원주상으로 설치되는 플랜지를 더 포함하는 회전 프레임을 열적으로 격리시키는 장치.제 9항에 있어서, 상기 지지 실린더의 열 전도성이 약 1.5 내지 2.5 J-kg-m/m2-sec-℃인 회전 프레임을 열적으로 격리시키는 장치.제 9항에 있어서, 상기 지지 실린더가 약 50 내지 150 밀(mil)의 벽 두께를가지는 회전 프레임을 열적으로 격리시키는 장치.반도체 처리 챔버용 회전 장치로서,다수의 구멍이 형성된 상부면을 갖추고 있는 회전자와,상기 다수의 구멍 내에 장착된 다수의 가요성 위치설정 핀과, 그리고상기 회전자와 동심을 이루며 상기 위치설정 핀과의 결합에 의해서 상기 회전자에 장착되어 있는 지지 실린더를 포함하고 있는 장치.제 18항에 있어서, 상기 위치설정 핀이 나사식이 아닌 마찰끼워맞춤식으로 상기 다수의 구멍 내에 장착되어 있는 장치.제 18항에 있어서, 상기 구멍이 상기 지지 실린더의 반경 보다 큰 반경의 원내에 배열되어 있는 장치.제 19항에 있어서, 상기 위치설정 핀이 다수의 위치설정 핀 플러그를 포함하고 있으며, 상기 위치설정 핀 플러그는 마찰끼워맞춤식으로 상기 다수의 구멍 내에 장착되어 있는 장치.반도체 처리 챔버용 회전 장치로서,다수의 구멍이 형성된 상부면을 갖추고 있으며 회전가능하게 장착되어 있는 회전자와,상기 다수의 구멍 내에 마찰끼워맞춤식으로 장착된 다수의 가요성 위치설정 핀 플러그를 갖추고 있는 다수의 위치설정 핀과, 그리고상기 회전자와 동심을 이루면서 그루우브를 갖추고 있고 상기 위치설정 핀과 상기 그루우브의 결합에 의해서 상기 회전자에 장착되어 있는 지지 실린더를 포함하고 있는 장치.반도체 처리 챔버용 회전 장치로서,중앙 어셈블리의 부근에서 상기 중앙 어셈블리를 둘러싸고 있는 회전자와,상기 회전자를 부양시키기 위한 부양 수단과, 그리고냉각 유체를 수용하기 적합하도록 상기 중앙 어셈블리 내에 형성되어 있는 냉각 챔버 포함하고 있으며,상기 회전자는 상기 냉각 유체가 상기 회전자를 냉각시키에 충분하도록 상기 냉각 챔버에 근접해 있는 장치.제 23항에 있어서, 상기 냉각 유체가 액체 또는 가스인 장치.제 23항에 있어서, 열전달에 의해 상기 회전자를 냉각시키도록 상기 회전자와 상기 중앙 어셈블리 사이의 지역으로 가스를 공급하는 가스원을 더 포함하고 있는 장치.제 23항에 있어서, 상기 부양 수단이 자기 부양 시스템인 장치.반도체 처리 챔버용 회전 장치로서,중앙 어셈블리 부근에서 상기 중앙 어셈블리를 둘러싸고 있는 자성의 투과성회전자와,상기 회전자를 둘러싸고 있는 자성 고정자 어셈블리로서, 상기 회전자와 상기 고정자 사이의 반경방향 거리는 상기 고정자 어셈블리에 의해 형성되는 자장이 상기 회전자를 부양시키도록 상기 회전자를 자기적으로 부양시키기에 충분하도록 상기 회전자를 둘러싸고 있는 고정자 어셈블리와, 그리고 냉각 액체 또는 가스를 수용하기 적합하도록 상기 중앙 어셈블리 내에 형성된 냉각 챔버로서, 상기 냉각 액체 또는 가스가 상기 회전자를 냉각시키기에 충분하도록 상기 회전자에 근접해 있는 냉각 챔버를 포함하고 있는 장치.중앙 어셈블리를 둘러싸는 부양된 회전자를 갖추고 있는 반도체 처리 챔버용 센서 시스템으로서,상기 회전자의 수직방향 및 수평방향 위치를 측정하도록 상기 중앙 어셈블리내에 나사식으로 장착되어 있는 다수의 센서와, 그리고상기 센서와 상기 회전자 사이에 배열되어 있으며 약 10 내지 30 mils 정도 두께의 중합체로 이루어진 덮개를 포함하고 있는 센서 시스템.제 28항에 있어서, 상기 덮개가 상기 회전자에 대한 접지로서 작용하는 센서시스템.제 28항에 있으며, 다수의 조정자를 더 포함하고 있으며, 상기 센서가 각각의 상기 조정자 내에 나사식으로 장착되어 있고, 상기 조정자는 상기 중앙 어셈블리 내에 장착되어 있는 센서 시스템.제 30항에 있어서, 다수의 센서 설치대를 더 포함하고 있으며, 상기 조정자가 각각 조절 나사에 의해서 각각의 상기 센서 설치대에 장착되어 있고, 상기 센서설치대는 센서 설치대 나사에 의해서 상기 중앙 어셈블리에 장착되어 있는 센서 시스템.제 31항에 있어서, 상기 조절 나사와 상기 센서 나사 중 어느 하나가 미세한 피치를 가지며 다른 하나는 조밀한 피치를 갖는 센서 시스템.